350 rub
Journal Science Intensive Technologies №3-4 for 2005 г.
Article in number:
Authors:
Будагян Б.Г., Шерченков А.А., Горбулин Г.Л.
Abstract:
Разработана технология формирования активных слоев на основе сплавов a-SiGe:H и a-SiC:H с различной шириной запрещенной зоны при повышенных скоростях роста (до 12 A/с для a-SiGe:H и до 15 A/с для a-SiC:H).