Оптимизация профиля легирования широкозонных эмиттеров в родгс - лазерах системы AlGaAs/InGaAs/AlGaAs
- 1 ст. преподаватель, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
- 2 инженер, ЗАО ЭЛМАТ
- 3 к. т. н., ст. науч. сотрудник, ООО «Сигм Плюс»
- 4 д. т. н., профессор, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
Аннотация
Построена электромагнитная модель РОДГС-лазера с неоднородно легированными широкозонными эмиттерами. Вариационным методом определён оптимальный профиль легирования эмиттеров лазера с одной квантовой ямой в системе
AlGaAs/InGaAs/AlGaAs. Рассчитана зависимость оптимального КПД лазера от тока накачки.
Для цитирования
Головатый Ю.П., Ивахненко А.П., Ладугин М.А., Стрельченко С.С. Оптимизация профиля легирования широкозонных эмиттеров в родгс - лазерах системы AlGaAs/InGaAs/AlGaAs // Вакуумная, плазменная и твердотельная электроника. 2012. № 1. С. 55–60.
Список источников
- Wang J., Smith B., Xie X. e.a. // Appl. Phys. Let. 1998. V. 74. N. 7. P. 1525 - 1527.
- Чельный А. А., Валуев А. В., Маслов С. В. // Квантовая электроника. 2004. Т. 34. № 1. С. 2 - 7
- Belenky L., Reynolds C., Donetsky D. e.a. // IEEE Journal of Quantum Electronics. 1999. V. 35. N. 10. P. 1515 - 1520.
- Chelny A., Kobyakova M., Eliseev P. // IEEE Journal of Quantum Electronics. 2004. V. 40. N. 12. P. 113 - 117.
- Eliseev P., Chelny A., Aluev A. e.a. // IEEE Photonics Technology Letters. 2002. V. 14. №1. P. 15 - 17.
- Numai T. Fundamentals of Semiconductor Lasers. Springer. 2004.
- Zory P. Quantum Well Lasers. AcademicPressInc. 1993.
- Слипченко С. О., Винокуров Д. А., Пихтин Н. А. и др. // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. Вып. 12. С. 1477 - 1486.
- Ладугин М. А. Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры для мощных импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0,9 мкм. Автореферат дисс. на соиск. уч. степени канд. техн. наук. Москва, 2009.