Канальные приемные модули цифровых антенных решеток

К.В. Бойко; Ю.В. Кузнецов; С.Н. Лысенко; С.С. Муратов; В. О. Петин; А.М. Прищенко; А.Л. Шлаферов

Канальные приемные модули цифровых антенных решеток

К.В. Бойко¹, Ю.В. Кузнецов², С.Н. Лысенко³, С.С. Муратов⁴, В. О. Петин⁵, А.М. Прищенко⁶, А.Л. Шлаферов⁷

научная статья Страницы: 81-85

^1,6 к.т.н., ст. научн. сотрудник ФГУП «РНИИРС» ФНПЦ
² младший научный сотрудник ФГУП «РНИИРС» ФНПЦ
^3,5 начальник сектора ФГУП «РНИИРС» ФНПЦ
⁴ руководитель группы ФГУП «РНИИРС» ФНПЦ
⁷ к.т.н., начальник отдела ФГУП «РНИИРС» ФНПЦ

Ключевые слова: LTCC модули приёмного канала цифровые антенные решётки

Аннотация

Приведено описание разработанного комплекта функциональных модулей приёмного канала для цифровых антенных решеток сантиметрового диапазона, изготавливаемого по технологии низкотемпературной совместно обжигаемой керамики (LTCC). Для защиты модуля на его входе предусмотрены полосно-пропускающий фильтр с малыми потерями и ограничитель.

Для цитирования

Бойко К.В., Кузнецов Ю.В., Лысенко С.Н., Муратов С.С., Петин В.О., Прищенко А.М., Шлаферов А.Л. Канальные приемные модули цифровых антенных решеток // Антенны. 2012. № 9. С. 81–85.

Список источников

Бледнов И. И. Состояние и тенденции развития ИЭТ СВЧ для применения в АФАР: Обзоры по электронной технике. Сер. 1 // ЭлектроникаСВЧ. Вып. 18 (1590). 1990.
Skonik M. Role of Radar in Microwaves // IEEE trans. Microwave theory tech. March 2002. V. 50. №3. С. 625 - 632.
Mitchell B. et al. Monolithic FET structures for high-power control component applications // IEEE trans. Microwave theory tech. December 1989. V. 37. № 12. С. 2134 - 2141.
Богданов Ю. М., Галдецкий А. В, Красник В. А., Лапин В. Г.,Лукьянов В. А., Темнов А. М, Щербаков Ф. Е. Полнофункциональный ряд дискретных управляющих GaAs МИС // Материалы 16-й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные тех-нологии» Севастополь: Вебер. 2006. Т. 1. С. 185 - 186.
Piotrowicz S. et al. Ultra Compact X-Band GaInP/GaAs HBT MMIC amplifiers: 11 W, 42 % of PAE on 13mm² and 8.7 W, 38 % of PAE on 9 mm² // Proceeding of the IEEE MTTS, Session: THPD, San-Francisco. 2006.
Монолитный GaAs усилитель M/A-COM с выходной мощностью 20 Вт в диапазоне 10 ГГц // Новости СВЧ-техники. 2006. № 3. С. 6.
Мокеров В. Г., Гюнтер В. Я., Аржанов С. Н., Федоров Ю. В., Щербакова М. Ю., Бабак Л. И., Баров А. А., Черкашин М. В., Шеерман Ф. И. Монолитный малошумящий усилитель X-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs p-HEMT технологии // 17-я Междунар. Крымская конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2007). Т. 1. С. 77 - 78.
Ли А. И., Толстолуцкий С. И., Казачков В. В., Толстолуцкая А. В. Монолитные интегральные схемы СВЧ-ограничителей мощности на арсениде галлия // Материалы 20-й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь: Вебер. 2010. Т. 1. С. 145 - 146.
Семенова Л. М., Осипов А. М.Разработка монолитных малошумящих усилителей L- и S-диапазонов // Материалы 17-й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь: Вебер. 2007. Т. 1. С. 95 - 96.
Ли А. И., Толстолуцкий С. И., Казачков В. В., Толстолуцкая А. В.Твердотельный широкополосный смеситель на арсениде галлия // Материалы 21-й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь: Вебер. 2011. Т. 1. С. 191 - 192.

[1] Бледнов И. И. Состояние и тенденции развития ИЭТ СВЧ для применения в АФАР: Обзоры по электронной технике. Сер. 1 // ЭлектроникаСВЧ. Вып. 18 (1590). 1990.

[2] Skonik M. Role of Radar in Microwaves // IEEE trans. Microwave theory tech. March 2002. V. 50. №3. С. 625 - 632.

[3] Mitchell B. et al. Monolithic FET structures for high-power control component applications // IEEE trans. Microwave theory tech. December 1989. V. 37. № 12. С. 2134 - 2141.

[4] Богданов Ю. М., Галдецкий А. В, Красник В. А., Лапин В. Г.,Лукьянов В. А., Темнов А. М, Щербаков Ф. Е. Полнофункциональный ряд дискретных управляющих GaAs МИС // Материалы 16-й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные тех-нологии» Севастополь: Вебер. 2006. Т. 1. С. 185 - 186.

[5] Piotrowicz S. et al. Ultra Compact X-Band GaInP/GaAs HBT MMIC amplifiers: 11 W, 42 % of PAE on 13mm² and 8.7 W, 38 % of PAE on 9 mm² // Proceeding of the IEEE MTTS, Session: THPD, San-Francisco. 2006.

[6] Монолитный GaAs усилитель M/A-COM с выходной мощностью 20 Вт в диапазоне 10 ГГц // Новости СВЧ-техники. 2006. № 3. С. 6.

[7] Мокеров В. Г., Гюнтер В. Я., Аржанов С. Н., Федоров Ю. В., Щербакова М. Ю., Бабак Л. И., Баров А. А., Черкашин М. В., Шеерман Ф. И. Монолитный малошумящий усилитель X-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs p-HEMT технологии // 17-я Междунар. Крымская конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2007). Т. 1. С. 77 - 78.

[8] Ли А. И., Толстолуцкий С. И., Казачков В. В., Толстолуцкая А. В. Монолитные интегральные схемы СВЧ-ограничителей мощности на арсениде галлия // Материалы 20-й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь: Вебер. 2010. Т. 1. С. 145 - 146.

[9] Семенова Л. М., Осипов А. М.Разработка монолитных малошумящих усилителей L- и S-диапазонов // Материалы 17-й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь: Вебер. 2007. Т. 1. С. 95 - 96.

[10] Ли А. И., Толстолуцкий С. И., Казачков В. В., Толстолуцкая А. В.Твердотельный широкополосный смеситель на арсениде галлия // Материалы 21-й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь: Вебер. 2011. Т. 1. С. 191 - 192.