Ионно-лучевая литография в технологии полупроводниковой СВЧ-микроэлектроники
- 1 д.т.н., профессор, кафедра «Физическое материаловедение и технологии новых материалов», Саратовский государственный технический университет
- 2 д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Физическое материаловедение и технологии новых материалов», Саратовский государственный технический университет
Аннотация
Изготовление интегральных схем СВЧ и разработка сложных монолитных схем требует новой технологической базы на основе совместимых между собой лучевых методов локальной обработки материалов. В наибольшей степени этим требованиям удовлетворяет ионно-лучевая обработка, которая используется в настоящее время для создания активных, изолирующих и резистивных областей в GaAs, ионного фрезерования, осаждения, локального травления, ионной литографии. Единство физико-химической природы, локальность, возможность электрофизических и химических воздействий ионно-лучевой обработки на материалы в принципе обеспечивает проведение всех основных технологических операций и их интеграцию. В силу этих причин, достижение высокого технологического уровня СВЧ ИС связано с внедрением методов ионно-лучевой обработки.
Для цитирования
Перинский В.В., Лясников В.Н. Ионно-лучевая литография в технологии полупроводниковой СВЧ-микроэлектроники // Антенны. 2012. № 3. С. 18–20.
Список источников
- Козейкин Б. В.и др. Физико-технологические особенности ионного легирования монокристаллического и эпитаксиального арсенида галлия для монолитных СВЧ-устройств // Электроника. 1983.
- Лабунов В. А. Развитие микро- и наноэлектроники // Сб. науч. статей V Российско-Японского семинара Оборудование, технологии и аналитические системы для материаловедения, микро- и наноэлектроники. 2007. Т. 1. С. 179-201.