Построение проходных управляющих устройств СВЧ с плавной перестройкой на одном полупроводниковом диоде

Приведен анализ возможности построения проходных управляющих устройств СВЧ с плавной перестройкой на одном полупроводниковом диоде, основывающийся на утверждении, что при перестройке полупроводникового диода его импеданс описывает в комплексной плоскости дугу окружности; показано, что плавный проходной фазовращатель не может быть построен ни на варакторе, ни на pin-диоде, а плавный проходной аттенюатор с постоянной фазой может быть построен на pin-диоде.