Квантовые модели образования тонких пленок

В.И. Лебедев

Квантовые модели образования тонких пленок

научная статья Страницы: 97-103

¹ д. ф.-м. н., профессор, кафедра «Информатика», СКФУ (г. Ставрополь)

Ключевые слова: квантовая модель эпитаксии неравновесные фазовые переходы переходы типа «порядок-беспорядок»динамика фазовых переходов в тонких пленках

Аннотация

Разработан квантовый подход к описанию кинетики образования тонких пленок при эпитаксии на кристаллической подложке как фазового перехода первого рода.

Для цитирования

Лебедев В.И. Квантовые модели образования тонких пленок // Наукоемкие технологии. 2012. № 7. С. 97–103.

Список источников

Кукушкин С. А., Осипов А. В. Процессы конденсации тонких пленок // УФН. 1998. Т. 168. № 10. С. 1083-1116.
Бимберг Д., Ипатова И. П., Копьев П. С., Леденцов Н. Н., Малышкин В. Г., Щукин В. А.Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур // УФН. 1997. Т. 167. № 5. С. 552-555.
Лебедев В. И.Физика фазовых переходов в дефектных и малоразмерных кристаллах. Ставрополь: СевКавГТУ. 2008.
Лебедев В. И.Самоорганизация структур вблизи структурных фазовых переходов // Вестник Ставропольского госуниверситета. Физико-математические науки. Вып. 11. 1997. С. 80-85.
Крачино Т. В., Кузьмин М. В., Логинов М. В., Митцев М. А.Начальные стадии формирования границы раздела Sm-Si(III) // ФТТ. 998. Т. 40. № 2. С. 371-378; Начальные стадии формирования границы раздела Yb-Si(111) //ФТТ. 1997. Т. 39. № 2. С. 256-263.
Агеев В. Н., Афанасьева Е. Ю., Потехина Н. Д., Потехин А. Ю. Термодесорбция кремния с текстурированных лент тантала // ФТТ. 2000. Т. 42. В. 2. С. 347-353.
Лебедев В. И., Мизина В. В., Благина Л. В., Баранник А. А. Температурная зависимость энергии активации процессов десорбции кремния с лент тантала // Неорганические материалы. 2008. Т. 44. № 5. С. 524 - 527.
Лебедев В. И. Синергетическая модель процессов самоорганизации при структурных фазовых перехода второго рода // Вестник СевКавГТУ. Ставрополь. 2011. № 5. С. 18 - 21.

[1] Кукушкин С. А., Осипов А. В. Процессы конденсации тонких пленок // УФН. 1998. Т. 168. № 10. С. 1083-1116.

[2] Бимберг Д., Ипатова И. П., Копьев П. С., Леденцов Н. Н., Малышкин В. Г., Щукин В. А.Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур // УФН. 1997. Т. 167. № 5. С. 552-555.

[3] Лебедев В. И.Физика фазовых переходов в дефектных и малоразмерных кристаллах. Ставрополь: СевКавГТУ. 2008.

[4] Лебедев В. И.Самоорганизация структур вблизи структурных фазовых переходов // Вестник Ставропольского госуниверситета. Физико-математические науки. Вып. 11. 1997. С. 80-85.

[5] Крачино Т. В., Кузьмин М. В., Логинов М. В., Митцев М. А.Начальные стадии формирования границы раздела Sm-Si(III) // ФТТ. 998. Т. 40. № 2. С. 371-378; Начальные стадии формирования границы раздела Yb-Si(111) //ФТТ. 1997. Т. 39. № 2. С. 256-263.

[6] Агеев В. Н., Афанасьева Е. Ю., Потехина Н. Д., Потехин А. Ю. Термодесорбция кремния с текстурированных лент тантала // ФТТ. 2000. Т. 42. В. 2. С. 347-353.

[7] Лебедев В. И., Мизина В. В., Благина Л. В., Баранник А. А. Температурная зависимость энергии активации процессов десорбции кремния с лент тантала // Неорганические материалы. 2008. Т. 44. № 5. С. 524 - 527.

[8] Лебедев В. И. Синергетическая модель процессов самоорганизации при структурных фазовых перехода второго рода // Вестник СевКавГТУ. Ставрополь. 2011. № 5. С. 18 - 21.