Влияние смещения валентных зон на проявление тензорезистивного эффекта в алмазных структурах с P-проводимостью
- 1 Аунг Тура - аспирант, кафедра программного обеспечения, информационных технологий и прикладной математики, КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана к.ф.-м.н., доцент, кафедра программного обеспечения, информационных технологий и прикладной математики, КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана
Аннотация
Проведено моделирование влияния смещения валентной зоны алмаза в результате деформации вдоль оси [001] на проявление тензорезистивного эффекта. Установлены закономерности процессов, сопутствующих смещению зон легких и тяжелых дырок при растяжении. Полученные результаты хорошо соответствуют имеющимся экспериментальным данным.
Для цитирования
Рыбкин С.В. Влияние смещения валентных зон на проявление тензорезистивного эффекта в алмазных структурах с P-проводимостью // Наукоемкие технологии. 2011. № 9. С. 58–60.
Список источников
- Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука. 1972. 584 с.
- Вавилов В.С., Конорова Е.А. Полупроводниковые алмазы // Успехи физических наук. 1976. Т.118(4). С.611 - 639.
- CVD Diamond for Electronic Devices and Sensors. Edited by Ricardo S. Sussmann: John Wiley & Sons. 2009. 571 с.
- Markus Gabrysch. Electronic properties of diamond. Uppsala University. 2008. 58 с.
- Fang L., Wang W.L., Ding P.D. et al. Study on the PR effect of crystalline and polycrystalline diamond under uniaxial strains // J. Appl. Phys. 1999. V. 86(9). P. 5185 - 5193.
- Fang L., Wang W.L., Ding P.D. et al. Study on the PR effect in p-type polycrystalline diamond // Science in China. 1999. V. 42(7). P.769 - 778.
- Kong Chunyang, Wang Shuxia, Fang Liang. The theoretical studies of piezoresistive effect in diamond films // Science in China (Series A). 2002. V.45(1). P.107 - 114.
Полный текст, PDF
350 ₽