Термодинамика легирования (Al)GaAs в мос-гидридной эпитаксии с использованием CCl4

Созыкин A.C.; Стрельченко С.С.; Головатый Ю.П.; Ладугин М.А.; Мармалюк А.А.

Термодинамика легирования (Al)GaAs в мос-гидридной эпитаксии с использованием CCl4

Созыкин A.C.¹, Стрельченко С.С.², Головатый Ю.П.³, Ладугин М.А.⁴, Мармалюк А.А.⁵

научная статья Страницы: 44-48

¹ инженер-технолог, ОАО «Восход»-КРЛЗ
² д. т. н., проф., Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
³ ст. преподаватель, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
⁴ инженер, к. т. н., ООО «Сигм Плюс»
⁵ д. т. н., зам. директора, ООО «Сигм Плюс»

Ключевые слова: термодинамика МОС-гидридная эпитаксия AlGaAs легирование CCl4

Аннотация

Разработана термодинамическая модель процессов роста и легирования эпитаксиальных слоёв GaAs и AlGaAs углеродом в системе материалов Ga(C2H5)3-Al(CH3)3-AsH3-CCl4-H2. Концентрация углерода была рассчитана в приближении регулярных твёрдых растворах в системах GaAs-GaC, AlAs-AlC. Получены зависимости уровня легирования эпитаксиальных слоёв GaAs и AlGaAs углеродом от основных технологических параметров роста.

Для цитирования

Созыкин A.C., Стрельченко С.С., Головатый Ю.П., Ладугин М.А., Мармалюк А.А. Термодинамика легирования (Al)GaAs в мос-гидридной эпитаксии с использованием CCl4 // Наукоемкие технологии. 2010. № 11. С. 44–48.

Список источников

Cunningham B.T., Baker J.E., Stilman G.E. Carbon tetrachloride doped Al_xGa_1-xAs grown by metalorganic chemical vapor deposition // Applied Physics Letters. 1990. V. 56. P. 836-838.
Guido L.J., Jackson G.S., Hall D.C., Piano W.E., Holonyak N. Carbon-doped Al_xGa_1-xAs-GaAs quantum wells lasers // Applied Physics Letters. 1988. V. 52. P. 522-524.
Bulaev P.V., Marmalyuk A.A., Padalitsa A.A., Nikitin D.B., Zalevsky I.D., Kapitonov V.A., Nikolaev D.N., Pikhtin N.A., Lyutetskiy A.V., Tarasov I.S. Comparison of carbon and zinc p-clad doped LP MOCVD grown InGaAs/AlGaAs low divergence high-power laser heterostructures // Journal of Crystal Growth. 2003. V. 248. P. 114-118.
Rebey A., Beji L., El Jani B., Gibart P. Optical monitoring of the growth rate reduction by CCl₄ during metal organic vapour-phase epitaxy deposition of carbon doped GaAs // Journal of Crystal Growth. 1998. V. 191. P. 734-739.
Begarney M.J., Warddrip M.L., Kappers M.J., Hicks R.F. Kinetics carbon tetrachloride decomposition during the metalorganic vapor-phase epitaxy of gallium arsenide and indium // Journal of Crystal Growth. 1998. V. 193. P. 305-315.
Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Сухарев А.В., Стрельченко С.С. Профильное легирование углеродом эпитаксиальных слоёв GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии // Изв. вузов. Материалыэлектрон. техники. 2009. № 4. С. 36-41.
Стрельченко С.С., Матяш А.А. Кинетика осаждения эпитаксиальных слоев соединений АIIIВV из газовой фазы. // Обзоры по электронной технике. серия. 6. «Материалы». 1979. Вып. 8 (678). 107 с.
Глазов В.М., Павлова Л.М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия. М.: Металлургия. 1988. 560 с.
Ладугин М.А., Сухарев А.В., Падалица А.А.Особенности легирования GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии // Изв. вузов. Материалыэлектрон. техники. 2008. № 1. С. 36-41.
Tateno K., Kohama Yo., Amano C.. Carbon doping and etching effects of CBr₄ during metal organic chemical vapor deposition of GaAs and AlGaAs // Journal of Crystal Growth. 1997. V. 172. P. 5-12.

[1] Cunningham B.T., Baker J.E., Stilman G.E. Carbon tetrachloride doped Al_xGa_1-xAs grown by metalorganic chemical vapor deposition // Applied Physics Letters. 1990. V. 56. P. 836-838.

[2] Guido L.J., Jackson G.S., Hall D.C., Piano W.E., Holonyak N. Carbon-doped Al_xGa_1-xAs-GaAs quantum wells lasers // Applied Physics Letters. 1988. V. 52. P. 522-524.

[3] Bulaev P.V., Marmalyuk A.A., Padalitsa A.A., Nikitin D.B., Zalevsky I.D., Kapitonov V.A., Nikolaev D.N., Pikhtin N.A., Lyutetskiy A.V., Tarasov I.S. Comparison of carbon and zinc p-clad doped LP MOCVD grown InGaAs/AlGaAs low divergence high-power laser heterostructures // Journal of Crystal Growth. 2003. V. 248. P. 114-118.

[4] Rebey A., Beji L., El Jani B., Gibart P. Optical monitoring of the growth rate reduction by CCl₄ during metal organic vapour-phase epitaxy deposition of carbon doped GaAs // Journal of Crystal Growth. 1998. V. 191. P. 734-739.

[5] Begarney M.J., Warddrip M.L., Kappers M.J., Hicks R.F. Kinetics carbon tetrachloride decomposition during the metalorganic vapor-phase epitaxy of gallium arsenide and indium // Journal of Crystal Growth. 1998. V. 193. P. 305-315.

[6] Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Сухарев А.В., Стрельченко С.С. Профильное легирование углеродом эпитаксиальных слоёв GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии // Изв. вузов. Материалыэлектрон. техники. 2009. № 4. С. 36-41.

[7] Стрельченко С.С., Матяш А.А. Кинетика осаждения эпитаксиальных слоев соединений АIIIВV из газовой фазы. // Обзоры по электронной технике. серия. 6. «Материалы». 1979. Вып. 8 (678). 107 с.

[8] Глазов В.М., Павлова Л.М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия. М.: Металлургия. 1988. 560 с.

[9] Ладугин М.А., Сухарев А.В., Падалица А.А.Особенности легирования GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии // Изв. вузов. Материалыэлектрон. техники. 2008. № 1. С. 36-41.

[10] Tateno K., Kohama Yo., Amano C.. Carbon doping and etching effects of CBr₄ during metal organic chemical vapor deposition of GaAs and AlGaAs // Journal of Crystal Growth. 1997. V. 172. P. 5-12.

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи