Вывод «круговых» свойств полупроводникового диода из его эквивалентной схемы

Показано, что экспериментально установленные «круговые» свойства полупроводниковых диодов (при плавной перестройке диода его импеданс описывает в комплексной плоскости дугу окружности; для p-i-n-диода центр этой окружности лежит на мнимой оси) вытекают из эквивалентной схемы этих диодов.