Формирование микродефектной структуры полупроводникового кремния
Аннотация
С помощью просвечивающей электронной микроскопии проведены исследования монокристаллов кремния, полученных методом Чохральского в вакансионном режиме роста; установлено, что дефекты в области OSF-кольца имеют межузельный характер, а в области внутри OSF-кольца сосуществуют дефекты межузельного и вакансионного типов.
Для цитирования
Таланин В.И., Таланин И.Е., Левинзон Д.И. Формирование микродефектной структуры полупроводникового кремния // Наукоемкие технологии. 2004. № 6.