Основные принципы проведения исследований влияния электростатических разрядов на элементную базу

М.А. Ромащенко; Д.С. Сеимова

doi:10.18127/j00338486-201906(8)-08

Основные принципы проведения исследований влияния электростатических разрядов на элементную базу

научная статья УДК 621.396.6.001.63;621.396.001.66 Страницы: 133-137 doi.org/10.18127/j00338486-201906(8)-08

¹ д.т.н., профессор, кафедра «Конструирование и производство радиоаппаратуры», Воронежский государственный технический университет
² студентка, кафедра «Конструирование и производство радиоаппаратуры», Воронежский государственный технический университет

Ключевые слова: Электростатический разряд (ЭСР)электростатическое перенапряжение SPICE моделирование интегральные схемы (ИС)электромагнитная совместимость (ЭМС)

Аннотация

Постановка проблемы. Электростатический разряд (ЭСР) приносит большие убытки каждый год. По оценкам, 25% отказов всех компонентов происходят из-за эЭСР и электрического перенапряжения.

Цель. Рассмотреть типовые способы защиты от ЭСР и на основе анализ ключевых факторов выработать принципы, необходимые для успешного моделирования ЭСР.

Результаты. Представлены основные особенности при разработке комплексных моделей, учитывающих влияние ЭСР.

Практическая значимость. SPICE-моделирование, основанное на схемотехнике, имеет большое преимущество по сравнению с инструментальной проверкой ЭСР на основе компоновки, что осуществляет раннее обнаружение и исправление недостатков ЭСР. Гораздо проще вносить изменения на уровне схемотехники, чем в условиях посттопологического анализа. Задача для будущего моделирования ЭСР заключается в разработке методологий, включающих необходимые паразитарные эффекты при сохранении преимущественных методов моделирования на основе схем.

Для цитирования

Ромащенко М.А., Сеимова Д.С. Основные принципы проведения исследований влияния электростатических разрядов на элементную базу // Радиотехника. 2019. № 6. С. 133–137. DOI: https://doi.org/10.18127/j00338486-201906(8)-08

Список источников

Боровиков С.М., Цырельчук И.Н., Троян Ф.Д. Расчет показателей надежности радиоэлектронных средств. Учебнометодическое пособие // Минск. БГУИР. 2010. С. 39−57.
Глотов В.В., Ромащенко М.А. Оптимизация радиоэлектронных устройств по критериям внутриаппаратурной электромагнитной совместимости // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2018. Т. 14. № 4. С. 103−107.
Zhou Y., Hajjar J.-J., Parthasarathy S., Clarke D., Moane B. System level ESD simulation in SPICE: a holistic approach // Proc. EOS/ESD Symp. 2018. P. 84−85.
Zhou Y., Hajjar J.-J., Weyl T., Lisiak K. ESD simulation using compact models: from I/O cell to full chip // Proc. EDSSC. 2007. P. 37.
Ромащенко М.А., Методика оценки помех в шинах питания цифровых устройств при проведении верификации // Радиотехника. 2014. № 3. С. 88−90.
H. Li, Miao M., Zhou Y., Salcedo J., Hajjar J.-J., and Sundaram K.B. Modeling and simulation of comprehensive diode behavior under electrostatic discharge stresses // IEEE Trans. DMR. 2015. P. 15−23.
Zhou Y., Hajjar J.-J., Righter A., Lisiak K. Modeling snapback of LVTSCR devices for ESD circuit simulation using advanced BJT and MOS models // Proc. EOS/ESD Symp. 2007. P. 175−184.
J. Li, Gauthier R., Joshi A., Lundberg M., Connor J., Chang S., Mitra S., Muhammad M. Predictive full circuit ESD simulation and analysis using extended ESD compact models: methodology and tool implementation // Proc. EOS/ESD Symp. 2010. P. 89.
Ромащенко М.А. Методы оптимального проектирования конструкции радиоэлектронных средств с учетом электромагнитной совместимости и помехоустойчивости: автореф. дис … д-ра техн. наук. Воронеж. 2014. С. 28−35.
https://www.compel.ru/lib/ne/2015/11/7-issledovanie-esd-na-urovne-sistemyi-primer-msp430. 13.03.19.

[1] Боровиков С.М., Цырельчук И.Н., Троян Ф.Д. Расчет показателей надежности радиоэлектронных средств. Учебнометодическое пособие // Минск. БГУИР. 2010. С. 39−57.

[2] Глотов В.В., Ромащенко М.А. Оптимизация радиоэлектронных устройств по критериям внутриаппаратурной электромагнитной совместимости // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2018. Т. 14. № 4. С. 103−107.

[3] Zhou Y., Hajjar J.-J., Parthasarathy S., Clarke D., Moane B. System level ESD simulation in SPICE: a holistic approach // Proc. EOS/ESD Symp. 2018. P. 84−85.

[4] Zhou Y., Hajjar J.-J., Weyl T., Lisiak K. ESD simulation using compact models: from I/O cell to full chip // Proc. EDSSC. 2007. P. 37.

[5] Ромащенко М.А., Методика оценки помех в шинах питания цифровых устройств при проведении верификации // Радиотехника. 2014. № 3. С. 88−90.

[6] H. Li, Miao M., Zhou Y., Salcedo J., Hajjar J.-J., and Sundaram K.B. Modeling and simulation of comprehensive diode behavior under electrostatic discharge stresses // IEEE Trans. DMR. 2015. P. 15−23.

[7] Zhou Y., Hajjar J.-J., Righter A., Lisiak K. Modeling snapback of LVTSCR devices for ESD circuit simulation using advanced BJT and MOS models // Proc. EOS/ESD Symp. 2007. P. 175−184.

[8] J. Li, Gauthier R., Joshi A., Lundberg M., Connor J., Chang S., Mitra S., Muhammad M. Predictive full circuit ESD simulation and analysis using extended ESD compact models: methodology and tool implementation // Proc. EOS/ESD Symp. 2010. P. 89.

[9] Ромащенко М.А. Методы оптимального проектирования конструкции радиоэлектронных средств с учетом электромагнитной совместимости и помехоустойчивости: автореф. дис … д-ра техн. наук. Воронеж. 2014. С. 28−35.

[10] https://www.compel.ru/lib/ne/2015/11/7-issledovanie-esd-na-urovne-sistemyi-primer-msp430. 13.03.19.