Новая физическая твердотельная электроника на основе терагерцевого расщепления и деформации запрещенной зоны LPE SiGaAsSi-кристаллов. Часть 1

А.И. Гордеев; В.Е. Войтович; А.В. Звонарев

Новая физическая твердотельная электроника на основе терагерцевого расщепления и деформации запрещенной зоны LPE SiGaAsSi-кристаллов. Часть 1

А.И. Гордеев¹, В.Е. Войтович², А.В. Звонарев³

научная статья УДК 539.21 Страницы: 154-161

¹ зам. директора ООО «Интелсоб» (г. Ульяновск)
² д.т.н., руководитель фирмы «Clifton Electronics» (г. Тарту, Эстония)
³ вед. специалист, ООО «Интелсоб» (г. Ульяновск)

Ключевые слова: арсенид галлия амфотерная примесь энергетические центры в запрещенной зоне LPE кристаллы фононы

Аннотация

Рассмотрены вопросы, связанные с уникальной энергетикой LPE монокристаллов GaAs, легированных амфотерными атомами кремния, обладающими новыми полупроводниковыми и диэлектрическими свойствами. Получены и прогнозированы электрофизические свойства LPE монокристаллов GaAs, позволяющие на новых физических принципах моделирования реализовать на практике весь совокупный спектр классов и типов приборов, которые созданы на известных полупроводниках – кремнии, германии, карбиде кремния, нитриде галлия, фосфиде индия, фосфиде галлия и др.

Для цитирования

Гордеев А.И., Войтович В.Е., Звонарев А.В. Новая физическая твердотельная электроника на основе терагерцевого расщепления и деформации запрещенной зоны LPE SiGaAsSi-кристаллов. Часть 1 // Радиотехника. 2017. № 10. С. 154–161.

Список источников

Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. под ред. А.Ф. Трутко М.: Энергия. 1973.
Ashkinazi G. GaAs Power Devices. Israel. 1999.
Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов / Под ред. чл.-кор. АН СССР Ж.И. Алферова. М.: Сов. радио. 1975.
Нашельский А.Я. Монокристаллы полупроводников. М.: Металлургия. 1978.
Войтович В.Е., Гордеев А.И. GaAs диоды для PFC, SMPS, UPS, IPM, Solar invertors и замены синхронных выпрямителей // Силовая электроника. 2012. № 5.
Войтович В.Е., Гордеев А.И., Думаневич А.Н. Новая экстремальная электроника на основе LPE i-GaAs монокристаллов // Современная электроника». 2014. № 6.
Voitovich Viktor, Rang Toomas, Rang Galina. LPE technology for power GaAs diode structures // Estonian Journal of Engineering. 2010. 16. 1. 11−22.
Dudek Volker (Clifton GmbH, Germany), Kowalsky Jens, Lutz Josef (Chemnitz University of Technology, Germany). GaAs pin Diode Devices and Technology for High Power applications at 600V and above // CS MANTECH International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology, Denver CO (USA). GaAs Mantech, Incorporated. 2014. P. 397−400.
Алферов Ж.И., Андреев В.М., Корольков В.И., Портной Е.Л., Третьяков Д.Н. Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов. Л.: Наука. 1969. С. 260−267.
Алферов Ж.И., Андреев В.М., Корольков В.И., Портной Е.Л., Третьяков Д.Н. Инжекционные свойства гетеропереходов n-AlxGa1-xAs – p-GaAs // ФТП. 1968. 2. 1016.
Vainshtein S., Yuferev V., Kostamovaara J., Kulagina M., Moilanen H. Significant effect of emitter area on the efficiency, stability and reliability of picosecond switching in a GaAs bipolar transistor structure // IEEE Electr. Dev. 2010. V. 57. P. 733−741.
Гордеев А.И. Перспективные терагерцевые поляризованные информационные системы. В 2-х частях // Современная электроника. 2016. № 6 и № 7.
Войтович В.Е., Гордеев А.И., Звонарев А.В. Терагерцевая тепловольтаика на основе монокристаллов LPE i-GaAs (SiO). В 2-х частях // Современная электроника. 2017. № 3 и № 4.

[1] Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. под ред. А.Ф. Трутко М.: Энергия. 1973.

[2] Ashkinazi G. GaAs Power Devices. Israel. 1999.

[3] Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов / Под ред. чл.-кор. АН СССР Ж.И. Алферова. М.: Сов. радио. 1975.

[4] Нашельский А.Я. Монокристаллы полупроводников. М.: Металлургия. 1978.

[5] Войтович В.Е., Гордеев А.И. GaAs диоды для PFC, SMPS, UPS, IPM, Solar invertors и замены синхронных выпрямителей // Силовая электроника. 2012. № 5.

[6] Войтович В.Е., Гордеев А.И., Думаневич А.Н. Новая экстремальная электроника на основе LPE i-GaAs монокристаллов // Современная электроника». 2014. № 6.

[7] Voitovich Viktor, Rang Toomas, Rang Galina. LPE technology for power GaAs diode structures // Estonian Journal of Engineering. 2010. 16. 1. 11−22.

[8] Dudek Volker (Clifton GmbH, Germany), Kowalsky Jens, Lutz Josef (Chemnitz University of Technology, Germany). GaAs pin Diode Devices and Technology for High Power applications at 600V and above // CS MANTECH International Conference on Compound Semiconductor MANufacturing TECHnology, Denver CO (USA). GaAs Mantech, Incorporated. 2014. P. 397−400.

[9] Алферов Ж.И., Андреев В.М., Корольков В.И., Портной Е.Л., Третьяков Д.Н. Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов. Л.: Наука. 1969. С. 260−267.

[10] Алферов Ж.И., Андреев В.М., Корольков В.И., Портной Е.Л., Третьяков Д.Н. Инжекционные свойства гетеропереходов n-AlxGa1-xAs – p-GaAs // ФТП. 1968. 2. 1016.

[11] Vainshtein S., Yuferev V., Kostamovaara J., Kulagina M., Moilanen H. Significant effect of emitter area on the efficiency, stability and reliability of picosecond switching in a GaAs bipolar transistor structure // IEEE Electr. Dev. 2010. V. 57. P. 733−741.

[12] Гордеев А.И. Перспективные терагерцевые поляризованные информационные системы. В 2-х частях // Современная электроника. 2016. № 6 и № 7.

[13] Войтович В.Е., Гордеев А.И., Звонарев А.В. Терагерцевая тепловольтаика на основе монокристаллов LPE i-GaAs (SiO). В 2-х частях // Современная электроника. 2017. № 3 и № 4.

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи