Математическая модель вольт-амперной характеристики спин-туннельной магнитной структуры

Я.В. Туркин; А.А. Захаров; А.А. Швачко

Математическая модель вольт-амперной характеристики спин-туннельной магнитной структуры

Я.В. Туркин¹, А.А. Захаров², А.А. Швачко³

научная статья Страницы: 62-65

^1,3 аспирант, Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А
² д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Электронные приборы и устройства», Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А

Ключевые слова: математическое моделирование спин-туннельное магнитосопротивление микромагнетизм многослойные наноструктуры

Аннотация

Выведено аналитическое выражение для описания вольт-амперной характеристики спин-туннельной магнитной наноструктуры. Задача решена при помощи интерполяции зависимости туннельного магнитосопротивления от напряжения полиномом третьего порядка. Рассчитано туннельное магнитосопротивление по формуле Тсу-Эсаки для спин-зависимого туннельного тока в металлической трехслойной структуре. Зависимость тока, протекающего через структуру, от приложенного напряжения находится из закона Ома.

Для цитирования

Туркин Я.В., Захаров А.А., Швачко А.А. Математическая модель вольт-амперной характеристики спин-туннельной магнитной структуры // Радиотехника. 2016. № 7. С. 62–65.

Список источников

Mancoff F., Hunter-Dunn J., Clemens B. A giant magnetoresistance sensor for high magnetic field measurements // J. Appl. Phys. 2000. V. 77. № 12. P. 1879−1881.
Zhu J. Magnetoresistive Random Access Memory: The Path to Competitiveness and Scalability // Proceedings of the IEEE. 2008. V. 96. № 11. P. 1786−1798.
Slonczewski J. Conductance and exchange coupling of two ferromagnets separated by a tunneling barrier // Phys. Rev. B. 1989. V. 39. № 10. P. 6995−7002.
Li F., Li Z., Xiao M. Bias dependent tunneling in ferromagnetic junctions and inversion of the tunneling magnetoresistance from a quantum mechanical pint of view // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. № 11. P. 7243−7245.
Slonczewski J.C. Current-driven excitation of magnetic multilayers // Journal of Magnetism and Magnetic Material. 1996. V. 159. № 1−2. P. L1−L7.
Julliere M. Tunneling between ferromagnetic film // Phys. Lett. A. 1975. V. 54. № 3. P. 225−226.
Brinkman W.F., Dyes R.C. Tunneling Conductance of Asymmetrical Barriers // J. Appl. Phys. 1970. V. 41. № 5. P. 1915−1921.

[1] Mancoff F., Hunter-Dunn J., Clemens B. A giant magnetoresistance sensor for high magnetic field measurements // J. Appl. Phys. 2000. V. 77. № 12. P. 1879−1881.

[2] Zhu J. Magnetoresistive Random Access Memory: The Path to Competitiveness and Scalability // Proceedings of the IEEE. 2008. V. 96. № 11. P. 1786−1798.

[3] Slonczewski J. Conductance and exchange coupling of two ferromagnets separated by a tunneling barrier // Phys. Rev. B. 1989. V. 39. № 10. P. 6995−7002.

[4] Li F., Li Z., Xiao M. Bias dependent tunneling in ferromagnetic junctions and inversion of the tunneling magnetoresistance from a quantum mechanical pint of view // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. № 11. P. 7243−7245.

[5] Slonczewski J.C. Current-driven excitation of magnetic multilayers // Journal of Magnetism and Magnetic Material. 1996. V. 159. № 1−2. P. L1−L7.

[6] Julliere M. Tunneling between ferromagnetic film // Phys. Lett. A. 1975. V. 54. № 3. P. 225−226.

[7] Brinkman W.F., Dyes R.C. Tunneling Conductance of Asymmetrical Barriers // J. Appl. Phys. 1970. V. 41. № 5. P. 1915−1921.

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи