Электродинамические характеристики волновода с пластиной полупроводника при температурно-электрической неустойчивости
- 1 к.ф.-м.н, доцент, кафедра «Радиоэлектроника и телекоммуникации», Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю.А. E mail: Antonov 1946 @ mail.ru
- 2 д.т.н., профессор, кафедра «Радиоэлектроника и телекоммуникации», Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю.А
Аннотация
Рассмотрен процесс взаимодействия микроволнового излучения с неоднородным полупроводником, распределение концентрации носителей заряда в котором управляется внешним электрическим и магнитным полями. Показано, что коэффициенты отражения и затухания микроволнового излучения от пластины полупроводника в волноводе существенно зависят от концентрации донорных примесей и значений электрического и магнитного полей.
Для цитирования
Антонов В.В., Димитрюк А.А. Электродинамические характеристики волновода с пластиной полупроводника при температурно-электрической неустойчивости // Радиотехника. 2014. № 10. С. 14–17.
Список источников
- Гинзбург В.Л. Распространение электромагнитных волн в плазме. М.: Наука. 1967. 683 с.
- Антонов В.В., Кац Л.И.Температурно-электрическая неустойчивость InSb в постоянном электрическом поле //Физика и техника полупроводников. 1982. Т.16, Вып. 6. С. 1050-1053.
- Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1975. 584 с.
- Дульнев А.Б. Теплообмен в радиоэлектронных устройствах. М.: Госэнергоиздат, 1963. 288 с.