Кремниевый транзистор с каналом-нанопроводом из неравномерно легированного кремния на изоляторе
- 1 аспирант, физический факультет, МГУ
- 2 к.ф.-м.н.. ст. науч. сотрудник, отдел микроэлектроники, НИИЯФ, МГУ
- 3 к.ф.-м.н.. ст. науч. сотрудник, физический факультет, МГУ
Аннотация
Разработан метод изготовления полевого транзистора с кремниевым каналом-нанопроводом из неравномерно легированного мышьяком кремния на изоляторе (КНИ). Концентрация легирующей примеси изменялась по глубине кремниевого слоя толщиной 100 нм от величины более 1020 см-3 до значений порядка 1017 см-3. Верхняя высокопроводящая часть слоя служила основой для подводящих электродов с омическими контактами к каналу-нанопроводу. Нижний подслой использовался для формирования полупроводникового канала-нанопровода. Измерены вольтамперные и затворные характеристики экспериментальных структур при температурах 77 и 300 К. Дан анализ возможности использования полевого транзистора на основе кремниевого нанопровода в качестве локального полевого сенсора с нанометровым пространственным разрешением.
Для цитирования
Амитонов С.В., Преснов Д.Е., Крупенин В.А. Кремниевый транзистор с каналом-нанопроводом из неравномерно легированного кремния на изоляторе // Радиотехника. 2013. № 5. С. 30–34.
Список источников
- Cui Y. et al. Nanowire nanosensors for highly sensitive and selective detection of biological and chemical species // Science. 2001. V. 293. № 5533. P. 1289-1292.
- Patolsky F. et al. Electrical detection of single viruses // Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America. 2004. V. 101. № 39. P. 14017.
- Stern E. et al. Label-free immunodetection with CMOS-compatible semiconducting nanowires // Nature. 2007. V. 445. №7127. P. 519-522.
- Stern E., Vacic A., Reed M.A. Semiconducting nanowire field-effect transistor biomolecular sensors // Electron Devices, IEEE Transactions on. 2008. V. 55. № 11. P. 3119-3130.
- Curreli M. et al. Real-time, label-free detection of biological entities using nanowire-based FETs // IEEE Transactions on Nanotechnology. 2008. V. 7. P. 651-667.
- Salfi J. et al. Direct observation of single-charge-detection capability of nanowire field-effect transistors // Nature Nanotech. 2010. V. 5. № 10. P. 737-741.
- Van der Pauw L. A method of measuring the resistivity and Hall coefficient on lamellae of arbitrary shape // Philips Technical Review. 1958. V. 20. № 8. P. 220-224.
- Morin F.J., Maita J.P. Electrical Properties of Silicon Containing Arsenic and Boron // Phys. Rev. 1954. V. 96. № 1. P. 28-35.