Проектирование устройств управления амплитудой мощных однополярных импульсов
- 1 д.т.н., профессор, кафедра радиоэлектроники и защиты информации, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Аннотация
Рассмотрены четыре схемных решения построения устройств управления амплитудой мощных однополярных импульсов на биполярных транзисторах. Описаны особенности работы и методика проектирования рассматриваемых устройств. Приведен пример реализации и результаты экспериментальных исследований.
Для цитирования
Титов А.А. Проектирование устройств управления амплитудой мощных однополярных импульсов // Радиотехника. 2013. № 4. С. 97–101.
Список источников
- Ильюшенко В.Н., Авдоченко Б.И., Баранов В.Ю. и др. Пикосекундная импульсная техника / Под ред. В.Н. Ильюшенко. М.: Энергоатомиздат. 1993. 368 с.
- Патент РФ № 2328818.
- Титов А.А., Пушкарев В.П., Авдоченко Б.И. Мощный импульсный СВЧ генераторный модуль // Известия вузов. Сер. Приборостроение. 2010. № 5. С. 47-52.
- Петухов В.М. Полевые и высокочастотные биполярные транзисторы средней и большой мощности и их зарубежные аналоги: Справочник. В 4-х томах. М.: КубК-а. 1997.
- Заявка на изобретение РФ № 2011117238. Приоритет от 28.04.2011.
- Патент РФ № 2395897.
- Патент РФ № 2429558.