Статистическая модель повреждения цифровых интегральных микросхем импульсным радиоизлучением
- 1 к.ф-м.н., начальник отдела ФГУП «Московский радиотехнический институт РАН»
- 2 магистр, науч. сотрудник. ФГУП «Московский радиотехнический институт РАН»
Ключевые слова:
модель накопления поврежденийинтегральная микросхемаповреждениеимпульсное ра-диоизлучение
Аннотация
Построена модель накопления повреждений цифровых интегральных микросхем (ИМС) при воздействии последовательности импульсов радиоизлучения. Проведены статистический анализ вероятности отказа ИМС от числа и мощности воздействующих радиоимпульсов, статистическая обработка полученных экспериментальных результатов повреждения ИМС в электромагнитном поле радиоизлучения и сравнения их с результатами моделию
Для цитирования
Ключник А.В., Солодов А.В. Статистическая модель повреждения цифровых интегральных микросхем импульсным радиоизлучением // Радиотехника. 2010. № 2. С. 37–42.
Список источников
- Васильев К.Б., Ключник А.В., Солодов А.В.Статистика отказов цифровых ИМС, вызванных импульсным радиоизлучением // 9-я Междунар. Крымская конфер. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь. 1999. С. 329-330.
- Сыноров В.Ф., Пивоваров Р.П., Петров Б.К., Долматов Т.В. Физические основы надежности интегральных схем / под ред. Ю.Г. Миллер. М.: Сов. радио. 1976. 320 с.
- Ключник А.В., Маслов Д.Е., Солодов А.В.Тепловое повреждение интегральных микросхем // Электронная техника. Сер. СВЧ-техника. 1994. Вып. 1 (461). C. 46-48.
- Whalen J.J.The RF Pulse Susceptibility of UHF Transistors // IEEE Trans. 1975. V. EMC-17. № 1.
