Экспериментальное исследование полей температур поверхности кристалла мощного биполярного транзистора
Аннотация
Проведено экспериментальное изучение полей температур поверхности кристалла мощного биполярного транзистора КТ819Г в пластиковом корпусе при рассеиваемых мощностях до 60 Вт. Установлена существенная неоднородность температурных полей поверхности кристалла. Выделены режимы тепловой нестабильности при определенных электрических режимах работы и факторы, регулирование которых может позволить снизить до минимума или полностью избежать этого негативного эффекта.
Для цитирования
Кузнецов Г.В., Белозерцев А.В. Экспериментальное исследование полей температур поверхности кристалла мощного биполярного транзистора // Радиотехника. 2007. № 8.