Аномальная зависимость напряжения пробоя затвор-сток от потенциала затвора в субмикронных полевых транзисторах
Аннотация
С помощью численного моделирования объясняется аномальная зависимость напряжения пробоя затвор-сток в арсенид галлиевых субмикронных полевых транзисторах с затвором Шотки (ПТШ) от потенциала затвора.
Для цитирования
Бувайлик Е.В., Мартынов Я.Б., Погорелова Э.В. Аномальная зависимость напряжения пробоя затвор-сток от потенциала затвора в субмикронных полевых транзисторах // Радиотехника. 2007. № 3.