Численное моделирование пространственного поля температур в силовом транзисторе
Аннотация
Проведено численное моделирование нестационарного пространственного температурного поля мощного биполярного транзистора с учетом зависимости токов, протекающих в каждом интегральном транзисторе, от собственных средних температур. Исследована тепловая устойчивость кристалла в зависимости от сопротивления балластных резисторов и электрических режимов работы; выделены режимы тепловой неустойчивости.
Для цитирования
Кузнецов Г.В., Белозерцев А.В. Численное моделирование пространственного поля температур в силовом транзисторе // Радиотехника. 2006. № 3.