Джозефсоновские переходы из купратных сверхпроводников на сапфировых бикристаллических подложках для приема и обработки субММ волн

Представлены результаты исследований электрофизических, магнитных, микроволновых и шумовых свойств джозефсоновских переходов (ДП) из купратных сверхпроводников семейства YBa2Cu3Ox(YBCO), выполненных в ИРЭ в течение последних пяти лет. Переходы изготавливались при росте эпитаксиальных YBCO пленок на r-плоскости бикристаллических подложек из сапфира. Высокие сопротивления RN = 20...60 Ом и характерные напряжения ICRN = 2...3 мВ, а также малый разброс параметров (30 %) позволяют создавать активные элементы со степенью интеграции до 10 переходов на чипе для приема и обработки миллиметровых (ММ) и субмиллиметровых (субММ) волн.