Мощные нитрид-галлиевые транзисторы и усилители сантиметрового диапазона для активных радиолокационных ФАР
Аннотация
Приведены данные по достигнутой плотности выходной СВЧ-мощности и по величине полной выходной СВЧ-мощности нитрид-галлиевых полевых транзисторов для АФАР; рассмотрены результаты численного моделирования и экспериментальных измерений температурных свойств GaN транзисторов.
Для цитирования
Митяшев М.Б., Сухарев Е.М. Мощные нитрид-галлиевые транзисторы и усилители сантиметрового диапазона для активных радиолокационных ФАР // Радиотехника. 2003. № 10.