Исследование низкотемпературных аномалий проводимости волны зарядовой плотности в квазиодномерном проводнике ромбическом TaS3 при его растяжении
- 1 к.ф.-м.н., науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва)
- 2 д.ф.-м.н., зав. лабораторией, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва)
- 3 к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва)
Аннотация
Постановка проблемы. Известно, что при растяжении нитевидных кристаллов квазиодномерного проводника ромбического TaS3, находящегося в состоянии волны зарядовой плотности (ВЗП), выше критического (εc~ 0,7 %) наблюдается переход ВЗП в новое состояние, характеризующееся высокой степенью когерентности. Помимо этого в TaS3 свойства ВЗП при температуре ниже ~90 K качественно изменяются. На данный момент не существует единого объяснения данных явлений.
Цель. Изучить переход от «нормальной» к «ультракогерентной» (УК) ВЗП при температуре ниже 90 К.
Результаты. Изучена проводимость образцов TaS3 в зависимости от электрического поля и одноосного растяжения в широком диапазоне температур. Установлено, что при температуре выше 90 К переход ВЗП в УК-состояние при εc~ 0,7 % происходит практически скачкообразно, а при температуре ниже 90 К − с образованием промежуточного состояния, в котором нелинейная проводимость практически не наблюдается. Сделан вывод, что при низких температурах ВЗП пространственно неоднородно деформирована.
Практическая значимость. Показано, что методика одноосного растяжения позволяет определять структуру ВЗП в растянутых и нерастянутых нитевидных кристаллах, что можно использовать в исследованиях электромеханических свойств соединений с ВЗП.
Для цитирования
Никитин М.В., Покровский В.Я., Зыбцев С.Г. Исследование низкотемпературных аномалий проводимости волны зарядовой плотности в квазиодномерном проводнике ромбическом TaS3 при его растяжении // Нелинейный мир. 2020. № 1. С. 41–44. DOI: https://doi.org/10.18127/j20700970-202001-10
Список источников
- Brill J.W. In Handbook of Elastic Properties of Solids, Liquids, and Gases. V. II. Ed. by M. Levy. San Diego: Academic Press. 2001. Ch. 10. P. 143.
- Preobrazhensky V.B. et al. Solid State Commun. 1985. № 54. P. 1399.
- Zybtsev S.G., Pokrovskii V.Ya. Physica B. 2015. № 460. P. 34−38.
- Зыбцев С.Г. и др. Свойства растянутых образцов TaS3 в состоянии волны зарядовой плотности и в нормальном состоянии // ЖЭТФ. 2017. № 151. С. 776.
- Monceau P. In Electronic Properties of Inorganic Quasi-One-Dimensional Conductors. Ed. by P. Monceau. D. Reidel Publishing Company, Dordrecht, 1985. Pt. 2
- Itkis M.E., Nad' F.Ya., Monceau P. J. Phys.: Condens. Matter. 1990. № 2. P. 8327.