Влияние динамической кулоновской блокады на туннельные характеристики поверхности Si(111)?7x7

А.Б. Одобеско; А.А. Майзлах

Влияние динамической кулоновской блокады на туннельные характеристики поверхности Si(111)?7x7

научная статья Страницы: 38-40

¹ науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва)
² инженер, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва) С.В. Зайцев-Зотов - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва)

Ключевые слова: сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия кулоновская блокада поверхности и пленки прыжковая проводимость

Аннотация

Изучена температурная зависимость туннельных вольт-амперных характеристик поверхностной структуры Si(111)?7x7 в области температур 5-80 К. Предложена феноменологическая модель, в которой туннелирование происходит как с учетом взаимодействия с окружением, так и с наличием кулоновской щели.

Для цитирования

Одобеско А.Б., Майзлах А.А. Влияние динамической кулоновской блокады на туннельные характеристики поверхности Si(111)?7x7 // Нелинейный мир. 2016. № 1. С. 38–40.

Список источников

Levitov S., Shitov A.V. Semiclassical theory of Coulomb anomaly // JETP Letters. 66. 200 (1997).
Losio R., Altmann K.N., Himpsel F.J. Fermi surface of Si(111)?7×7 // Phys. Rev. B 61. 10845 (2000).
Ortega J., Flores F., Levy Yeyati A. Electron correlation effects in the Si(111)?7×7 surface // Phys. Rev. B 58. 4584 (1998).
Одобеско А.Б., Зайцев-Зотов С.В. Электронный транспорт в сильно коррелированной двумерной системе Si(111)?7×7 // Нелинейный мир. 2014. Т. 12. № 2. С. 22-25.
Modesti S., Gutzmann H., Wiebe J., Wiesendanger R. Correction of systematic errors in scanning tunneling spectra on semiconductor surfaces: The energy gap of Si(111)?7×7 at 0,3 K // Phys. Rev. B 80. 125326 (2009).
Odobescu A.B., Maizlakh A.A., Zaitsev-Zotov S.V. Electron correlation effects in transport and tunneling spectroscopy of the Si(111)−7×7 surface // Phys.Rev. B 92. 165313 (2015).
Joyez P., Esteve D. Single-electron tunneling at high temperature // Phys. Rev. B 56. 1848 (1997).

[1] Levitov S., Shitov A.V. Semiclassical theory of Coulomb anomaly // JETP Letters. 66. 200 (1997).

[2] Losio R., Altmann K.N., Himpsel F.J. Fermi surface of Si(111)?7×7 // Phys. Rev. B 61. 10845 (2000).

[3] Ortega J., Flores F., Levy Yeyati A. Electron correlation effects in the Si(111)?7×7 surface // Phys. Rev. B 58. 4584 (1998).

[4] Одобеско А.Б., Зайцев-Зотов С.В. Электронный транспорт в сильно коррелированной двумерной системе Si(111)?7×7 // Нелинейный мир. 2014. Т. 12. № 2. С. 22-25.

[5] Modesti S., Gutzmann H., Wiebe J., Wiesendanger R. Correction of systematic errors in scanning tunneling spectra on semiconductor surfaces: The energy gap of Si(111)?7×7 at 0,3 K // Phys. Rev. B 80. 125326 (2009).

[6] Odobescu A.B., Maizlakh A.A., Zaitsev-Zotov S.V. Electron correlation effects in transport and tunneling spectroscopy of the Si(111)−7×7 surface // Phys.Rev. B 92. 165313 (2015).

[7] Joyez P., Esteve D. Single-electron tunneling at high temperature // Phys. Rev. B 56. 1848 (1997).