Нерезонансное туннелирование в сверхрешётках InAs/AlSb с оптическим резонатором
- 1 мл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 2 д.ф.-м.н., гл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 3 д.ф.-м.н., зав. лабораторией, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Аннотация
Исследован вертикальный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/AlSb. В режиме нерезонансного туннелирования, на вольт-амперной характеристике обнаружено возникновение серии эквидистантных максимумов, которые связываются с влиянием резонатора на интенсивность оптических переходов (эффект Пёрселла).
Для цитирования
Папроцкий С.К., Алтухов И.В., Каган М.С. Нерезонансное туннелирование в сверхрешётках InAs/AlSb с оптическим резонатором // Нелинейный мир. 2015. № 2. С. 38–40.
Список источников
- Wacker A. Semiconductor Superlattices: A model system for nonlinear transport // Phys. Reports. 2002. V. 357. P. 1-111.
- M.S. Kagan, I.V. Altukhov, A.N. Baranov, N.D. Il-inskaya, S.K. Paprotskiy, V.P. Sinis, A.A. Usikova. // Act. Phys. Polon. 2011. V. 119. P. 210.
- Esaki L., Tsu R. Superlattice and Negative Differential Conductivity in Semiconductors // IBM J. Res. Dev. 1970. V. 14. № 1. P. 61.
- Purcell E.M.,Torrey H.C., Pound R.V.Resonance Absorption by Nuclear Magnetic Moments in a Solid // Phys. Rev. 1946. V. 69. P. 37‑38.
- Kippenberg T.J., Tchebotareva A.L., Kalkman J., Polman A., Vahala K.J.Purcell-Factor-Enhanced Scattering from Si Nanocrystals in an Optical Microcavity// Phys. Rev. Lett. 2009. V. 103. 027406.