Формирование контактов при росте Al пленок методом СВЕ на поверхности арсенида галлия

Е.В. Каевицер; Т.А. Брянцева; В.Е. Любченко

Формирование контактов при росте Al пленок методом СВЕ на поверхности арсенида галлия

Е.В. Каевицер¹, Т.А. Брянцева², В.Е. Любченко³

научная статья Страницы: 114-115

¹ к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, лаборатория № 176, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
² к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
³ д.ф.-м.н., профессор, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН

Ключевые слова: полупроводники GaAs нановискеры омические контакты

Аннотация

Исследовано влияние облучения лазера (λ = 514 нм) при росте Al пленок методом CBE на поверхности GaAs. Показано, что композиционный состав области, находящейся непосредственно под лазерным пятном, отличается от области вне его действия. Морфология поверхности имеет структуру нановискеров.

Для цитирования

Каевицер Е.В., Брянцева Т.А., Любченко В.Е. Формирование контактов при росте Al пленок методом СВЕ на поверхности арсенида галлия // Нелинейный мир. 2013. № 2. С. 114–115.

Список источников