Разработка и изготовление интегральных сверхпроводниковых структур с туннельными СИН-переходами
- 1 студент, МФТИ
Ключевые слова:
двойная щелевая антеннапрямая фотолитографияСИН-переходболометры на холодных электронах (БХЭ)
Аннотация
Рассмотрены СИН-переходы, изготовленные с использованием прямой фотолитографии, которые показали хорошую нелинейность при низких температурах.
Для цитирования
Харченко Д.В. Разработка и изготовление интегральных сверхпроводниковых структур с туннельными СИН-переходами // Нелинейный мир. 2013. № 2. С. 104–105.
Список источников
- Chouvaev D., Kuzmin L., Tarasov M. Normal metal hot-electron microbolometer with on-chip protection by tunnel junctions // Supercond. Sci. Technol. 1999. № 12. Р. 985-988.
- Otto E., Tarasov M., Kuzmin L. Direct-write trilayer technology for Al-Al2O3-Cu superconductor-insulator-normal metal tunnel junction fabrication // J.Vac.Sci.Technol. Jul/Aug 2007. V. B25(4). Р.1156-1160.
- Otto E., Tarasov M., Kuzmin L. Ti-TiO2-Al normal metal-insulator-superconductor tunnel junctions fabricated in direct- write technology // Supercond. Sci. Technol. 2007. № 20. Р. 865-869.
- Filippovic D.F., Gearhart S.S., Rebeiz G.M. Double-slot antennas on extended hemispherical and elliptical silicon dielectric lenses // IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques. 1993. № 41. Р.1738-1749.
- Van der Vorst M. Integrated lens antennas for submillimetre-wave applications //Ph.D. thesis. Technische Universiteit Eindhoven. 1999.