Основания инновационного метода транскраниальной электромагнитной стимуляции головного мозга
- 1 вице-президент по инновациям, НПК БИОМЕДИС (Москва)
- 2 д.б.н., к.т.н., вед. науч. сотрудник, Институт медицины труда РАН, Институт машиноведения им. А.А. Благонравова РАН, Центр междисциплинарных исследований музыкального творчества Московской государственной консерватории им. П.И. Чайковского (Москва)
- 3 к.филос.н., ст. науч. сотрудник, нач. патентного агентства «©Уникально честное патентование»
Аннотация
Приведены результаты многолетних исследований, проводимых научно-производственной компанией «БИОМЕДИС», по разработке теоретических и экспериментальных моделей электромагнитных воздействий на нервную ткань. В отличие от известных методов транскраниальной магнитной стимуляции осуществлено моделирование и определение возможных электромагнитно-зависимых ее ультраструктурных особенностей с определением геометрии и выяснением ее роли в электромагнитных взаимодействиях. Отмечено, что учет этого позволяет значительно снизить мощности воздействия с сохранением и увеличением его эффективности. На основе разработанных методов серийно выпускается новый класс симуляторов.
Для цитирования
Шарифов С.К., Степанян И.В., Савельев А.В. Основания инновационного метода транскраниальной электромагнитной стимуляции головного мозга // Нейрокомпьютеры: разработка, применение. 2017. № 5. С. 60–62.
Список источников
- Cattaneo L. Transcranial Magnetic Stimulation //Lateralized Brain Functions: Methods in Human and Non-Human Species. 2017. С. 369–406.
- Naro A. et al. Effects of cerebellar transcranial alternating current stimulation on motor cortex excitability and motor function // Brain Structure and Function. 2017. С. 1–16.
- Савельев А.В. Открытие нейрофизических вихрей в нервной системе // Биомедицинская радиоэлектроника. 2015. № 6. С. 15–27.
- Холманский А.С. Моделирование физики мозга // Квантовая Магия. 2006. Т. 3. Вып. 3. С. 3126–3155.
- Савельев А.В. Нейрокомпьютеры в изобретениях // Нейрокомпьютеры: разработка, применение. 2004. № 2–3. С. 33–49.