Особенности дефектообразования в нестехиометрических наноразмерных пленках ЦТС при их формировании золь-гель методом
- 1 д.т.н., профессор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики
- 2 к.т.н., ассистент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
Ключевые слова:
ЦТСнаноструктурированные пленкизоль-гель методпленкообразующий растворсвинецграница зернасегнетоэлектрические свойства
Аннотация
Рассмотрены сегнетоэлектрические свойства наноструктурированных пленок ЦТС толщиной 180-200 нм, полученных золь-гель методом. Установлено, что наличие избытка свинца в пленкообразующем растворе приводит к увеличению площади границ зерен и снижению степени упорядоченности структуры пленки. При содержании в исходном пленкообразующем растворе сверхстехиометрического свинца 5-15 мол.%, получаемые пленки обладают наилучшими сегнетоэлектрическими свойствами.
Для цитирования
Воротилов К.А., Мухин Н.В. Особенности дефектообразования в нестехиометрических наноразмерных пленках ЦТС при их формировании золь-гель методом // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. 2014. № 3. С. 18–22.
Список источников
- Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд / Под ред. К.М. Рабе, Ч.Г. Анна, Ж.М. Трискона, пер. с англ. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний. 2011. 440 с.
- Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства: Минография / Под ред. А.С. Сигова. М.: Энергоатомиздат. 2011. 175 с.
- Мухин Н.В. Модель диффузии собственных дефектов в пленках цирконата-титаната свинца при термообработке на воздухе // Физика и химия стекла. 2014. Т. 40. № 2. С. 327−333.
- Пронин В.П., Сенкевич С.В., Каптелов Е.Ю., Пронин И.П. Аномальные потери свинца в тонких пленках PZT в процессе кристаллизации фазы перовскита // ФТТ. 2013. Т. 55. № 1. С. 92−94.
- Лайнс М., Глас А. Сегнетоэлектрики и родственные материалы. М.: Мир. 1981. 736 с.
- Гегузин Я.Е. Диффузионная зона. М.: «Наука». 1979. 344 с.
- Sanjeev A., Ramesh R. Point defect chemistry of metal oxide heterostructures // Ann. rev. of materials research. 1998. V. 28. P. 463−499.
- Tagantsev A.K., Gerra G. Interface-induced phenomena in polarization response of ferroelectric thin films // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. P. 051607.
- Афанасьев В.П., Мухин Н.В., Чигирев Д.А. Емкостная и зарядовая нестабильность в конденсаторных структурах на основе тонких пленок ЦТС // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». 2009. Т. 5. С. 12−18.