Многозатворный 3-мерный транзистор с полевым управлением транспорта отрицательно заряженных экситонов

Л.И. Гурский; Г.В. Крылова

Многозатворный 3-мерный транзистор с полевым управлением транспорта отрицательно заряженных экситонов

научная статья Страницы: 28-32

¹ чл.-корр. НАНБ, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (г. Минск)
² к.ф.-м.н., вед. науч. сотрудник, Белорусский государственный университет (г. Минск)

Ключевые слова: 3D-транзистор наноразмерный слой оксида тантала пленка Ленгмюра-Блоджетта заряженные экситоны подзатворные наноразмерные слои

Аннотация

Рассмотрены принципы построения многозатворного 3D-транзистора с полевым управлением, основанным на 3D-экситон¬но-диэлектрической структуре с наноразмерными слоями и подзатворной активной области в гетероструктуре.

Для цитирования

Гурский Л.И., Крылова Г.В. Многозатворный 3-мерный транзистор с полевым управлением транспорта отрицательно заряженных экситонов // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. 2014. № 2. С. 28–32.

Список источников

Макушин М.В., Железнова Л.И. Об освоении производства ИС с топологиями менее 20 нм. М.: ЦНИИ Электроника. 2013. C. 1-34.
Крылова Г., Гурский Л. Спиновая поляризация в сильно-коррелированных наносистемах. LAP LAMBERT Academic Publishing, AV Akademikerverlag GmbH & Co., Germany. 2013. 334 с.
Келдыш Л.В., Копаев Ю.В.Возможная неустойчивость полуметаллического состояния относительно кулоновского взаимодействия // ФТТ. 1964. Т. 6. С. 279.
Келдыш Л.В.Кулоновское взаимодействие в тонких пленках полупроводников и полуметаллов // Письма в ЖЭТФ. 1979. Т. 29. С. 716.
Крылова Г.В.Транспорт электрического заряда и нелинейная поляризация периодически упакованных структур в сильных электромагнитных полях. Минск: Издательский центр БГУ. 2008. 199 с.
Grushevskaya H.V. Coherent charge transport in strongly correlated systems and quasiparticle pair production // Nonlin. Phen. in Com. Sys. 2009. V. 12. № 4. Р. 506-513.
Патент US № 7939818, H01L 51/00, C08G 73/00, 10.05.2011.

[1] Макушин М.В., Железнова Л.И. Об освоении производства ИС с топологиями менее 20 нм. М.: ЦНИИ Электроника. 2013. C. 1-34.

[2] Крылова Г., Гурский Л. Спиновая поляризация в сильно-коррелированных наносистемах. LAP LAMBERT Academic Publishing, AV Akademikerverlag GmbH & Co., Germany. 2013. 334 с.

[3] Келдыш Л.В., Копаев Ю.В.Возможная неустойчивость полуметаллического состояния относительно кулоновского взаимодействия // ФТТ. 1964. Т. 6. С. 279.

[4] Келдыш Л.В.Кулоновское взаимодействие в тонких пленках полупроводников и полуметаллов // Письма в ЖЭТФ. 1979. Т. 29. С. 716.

[5] Крылова Г.В.Транспорт электрического заряда и нелинейная поляризация периодически упакованных структур в сильных электромагнитных полях. Минск: Издательский центр БГУ. 2008. 199 с.

[6] Grushevskaya H.V. Coherent charge transport in strongly correlated systems and quasiparticle pair production // Nonlin. Phen. in Com. Sys. 2009. V. 12. № 4. Р. 506-513.

[7] Патент US № 7939818, H01L 51/00, C08G 73/00, 10.05.2011.