Влияние легирования лантаном на структуру пленок ЦТС
- 1 д.ф-м.н., вед. науч. сотрудник, ФГБУН Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН (Москва)
- 2 мл. науч. сотрудник, ФГБУН Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН (Москва)
- 3 ведущий инженер, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики
- 4 студент, Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана
- 5 д.т.н., профессор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики
- 6 академик РАН, ректор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики
- 7 к.ф.-м.н, вед. науч. сотрудник, Центральный научно-исследовательский институт черной металлургии им. И.П. Бардина (Москва)
Аннотация
Методами просвечивающей электронной микроскопии, энергодисперсионного и рентгенофазового анализа исследованы структура, текстура и фазовый состав пленок ЦТС, легированных лантаном с концентрацией 2, 5 и 8 мол.% после отжига при температуре Т = 650 ºС. Пленки получали методом химического осаждения из растворов и наносили на подложки Si-SiO2-TiO2-Pt. Установлено, что легирование лантаном повышает температуру превращения пирохлора в перовскитную фазу по сравнению с аналогичными пленками без лантана, что необходимо учитывать при выборе оптимальной температуры кристаллизации этих пленок.
Для цитирования
Жигалина О.М., Хмеленин Д.Н., Котова Н.М., Шестакова Ю.А., Воротилов К.А., Сигов А.С., Дьяконова Н.Б. Влияние легирования лантаном на структуру пленок ЦТС // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. 2012. № 4. С. 17–21.
Список источников
- Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегриро-ванные сегнетоэлектрические устройства. М.: Энерго-атомиздат. 2011. 175 с.
- Jaffe B., Kook, W.B., Jaffe H. Piezoelectric ceramics. London and New York: Academic Press. 1971. P. 371.
- Meng Q., Kui Y., Liang Y. Photovoltaic characteristics in polycrystalline and epitaxial (Pb0.97La0.03)(Zr0.52Ti0.48)O3ferroelectric thin films sandwiched between different top and bottom electrodes. // Journal of applied physics. 2009. V. 105. P. 01624.
- Подгорный
Ю.В., Горбунов Э.А., Котова Н.М., Сере-
гин Д.С., Воротилов К.А. Электрофизические свойства
пленок ЦТС, легированных лантаном // Материалы Международной научно-технической конференции «Iner-matic - 2012». М.: МГТУ МИРЭА - ИРЭ РАН, 2012. Т. 1. C. 27 - Kurchania R, Milne J.S. Synthesis of (Pb,La) (Zr,Ti)O3 films using a diol based sol-gel route // J. Matt. Sci. 1998. V. 33. P. 659-667.
- Котова
Н.М., Подгорный Ю.В., Серегин Д.С., Вороти-лов К.А., Сигов А.С. Влияние методики приготовления пленкообразующих
растворов на электрофизические
свойства сегнетоэлектрических пленок ЦТС // Нано-
и микросистемная техника. 2010. № 10. С. 11-16. - Жигалина О.М., Воротилов К.А., Хмеленин Д.Н., Сигов А.С. Структурные особенности титаната-цирконата свинца, сформированных методом химического осаждения из растворов с различным содержанием свинца. // Нано- и микросистемная техника. 2008. № 11. C. 17-22.
- Колосов В.Ю. Электронная микроскопия материалов и процессов для энергонезависимой памяти, основанной на локальных переходах стекло-кристалл // Тезисы докладов Росс. конф. по электронной микроскопии «Черноголовка - 2012». С. 100.
