Прохождение электрона в наноструктурах с магнитными барьерами
- 1 аспирант, Воронежский государственный аграрный университет им. К.Д. Глинки
- 2 д.ф.-м.н., профессор, Воронежский государственный аграрный университет им. К.Д. Глинки
Ключевые слова:
заряженная частицамагнитный барьеруравнение Дираказапрещённая зонаспин-орби-тальное взаимодействиепотенциальная ямапланарная наноструктура
Аннотация
Рассмотрены процессы переноса электрона в двумерных системах в рамках квантовой теории рассеяния, при этом область барьера рассматривается как рассеивающий центр. Использование решения двумерного уравнения Дирака, позволяет непосредственно учесть эффект конечной ширины запрещённой зоны двумерной системы и влияние магнитного поля.
Для цитирования
Барбаров И.С., Клинских А.Ф. Прохождение электрона в наноструктурах с магнитными барьерами // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. 2010. № 1. С. 13–16.
Список источников
- Barbier M., Peeters F.M., Vasilopoulos P., Pereira J.M. Dirac and Klein-Gordon particles in one-dimentional periodic potentials // Physical Review B. 2008 V. 77. Р. 115446.
- Vancura T., Ihn T., Broderick S., Ensslin K. Electron transport in two-dimensional electron gas with magnetic barriers // Physical Review B. 2000. V. 62. Р. 5074.
- Флюгге З.Задачи по квантовой механике. Т.2. М.: Мир. 1974. 314 с.