Выбор информативных параметров для оценки деградации гетероструктуры резонансно-туннельного нанодиода и смесителя на его основе
Аннотация
Рассмотрен смеситель на основе резонансно-туннельного нанодиода. Определена зависимость между деградацией прибора, вызванной диффузией алюминия в гетероструктуре AlхGa1-хAs резонансно-туннельного нанодиода, и электрическими характеристиками прибора. На основании этой зависимости выбрана спектральная характеристика смесителя в качестве информационного параметра для прогнозирования потенциальных отказов.
Для цитирования
Мешков С.А., Хныкина С.В. Выбор информативных параметров для оценки деградации гетероструктуры резонансно-туннельного нанодиода и смесителя на его основе // Информационно-измерительные и управляющие системы. 2007. № 1.