Исследование влияния температуры на удельное сопротивление подложек карбида кремния
- 1 к.т.н., ген. директор, ОАО «Светлана», Санкт-Петербург
Аннотация
Представлены результаты экспериментального исследования влияния температурного воздействия на удельное сопротивление подложек полуизолирующего карбида кремния.
Для цитирования
Попов В.В. Исследование влияния температуры на удельное сопротивление подложек карбида кремния // Электромагнитные волны и электронные системы. 2014. № 4. С. 32–35.
Список источников
- Zhang, W. and Meyer, B. K., Growth of GaN quasi-substrates by hydride vapor phase epitaxy // Phys. Stat. Sol. (c), 2003. V. 0. №. 6. P. 1571-1582.
- Ambacher, O., Growth and applications of Group III-nitrides // J. Phys. D: Appl. Phys. 1998. № 31.P. 2653-2710.
- Попов В. В.Способы измерения удельного сопротивления подложек полуизолирующего карбида кремния.
