Перспективные технологии производства элементной базы телекоммуникационных устройств

В.Е. Драч; А.В. Родионов

Перспективные технологии производства элементной базы телекоммуникационных устройств

В.Е. Драч¹, А.В. Родионов²

научная статья Страницы: 85-92

¹ к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ1-КФ, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
² к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ2-КФ, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана

Ключевые слова: технология КМОП наноэлектронное устройство наноэлектроника

Аннотация

Дан обзор основных перспективных наноэлектронных устройств, таких как туннельный полевой транзистор, одноэлектронный транзистор, полевой транзистор Мотта, клеточные автоматы на квантовых точках, атомный переключатель, спиновый транзистор, приборы на базе графена и др. Показаны их ключевые особенности и потенциальные узкие места.

Для цитирования

Драч В.Е., Родионов А.В. Перспективные технологии производства элементной базы телекоммуникационных устройств // Электромагнитные волны и электронные системы. 2014. № 10. С. 85–92.

Список источников

Драч В.Е., Чухраев И.В. Диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью для субмикронных МДП-транзисторов // Радиопромышленность. 2013. № 3. С. 104−112.
Luisier M., Klimeck G. Atmostic, full-band design study of InAs band-to-band tunneling field-effect transistors // Electron Device Letters. 2009. 30. 6.
Slonczeski J.C. Currents, torques, and polarization factors in magnetic tunnel junctions. Physical Review B. 71. 024411. 2005.
Behin-Aein B., Datta D., Salahuddin S., Datta S. Proposal for an all-spin logic device with built-in memory // Nature Nanotechnology. 2010. V. 5. № 4. P. 266‑70. doi: 10.1038/nnano.2010.31.
Min H., Bistritzer R., Su J.‑J., MacDonald A.H. Room-temperature superfluidity in graphene bilayers // Phys. Rev. В78. 2008. № 12. 121401 (R)(4pp).
Registera L.F., Moua X., Reddya D., Junga W., Sodemanb I., Pesinb D., Hassibib A., MacDonaldb A.H., Banerjeea S.K. Bilayer Pseudo-Spin Field Effect Transistor (BiSFET): Concepts and Critical Issues for Realization // ECS Transactions. 2012. V. 45. № 4. P. 3‑14. doi: 10.1149/1.3700447
Gorgiou T., Jalil R., Belle B.D., Britnell L., Gorbachev R.V., Morozov S.V., Kim Y.‑J., Gholinia A., Haigh S.J., Makarovsky O., Eaves L., Ponomarenko L.A., Geim A.K., Novoselov K.S., Mishchenko A. Vertical field-effect transistor based on graphene-WS2 heterostructures for flexible and transparent electronics // Nature Nanotechnology. 2013. № 8. P. 100−103. doi:10.1038/nnano.2012.224

Полный текст, PDF 350 ₽

[1] Драч В.Е., Чухраев И.В. Диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью для субмикронных МДП-транзисторов // Радиопромышленность. 2013. № 3. С. 104−112.

[2] Luisier M., Klimeck G. Atmostic, full-band design study of InAs band-to-band tunneling field-effect transistors // Electron Device Letters. 2009. 30. 6.

[3] Slonczeski J.C. Currents, torques, and polarization factors in magnetic tunnel junctions. Physical Review B. 71. 024411. 2005.

[4] Behin-Aein B., Datta D., Salahuddin S., Datta S. Proposal for an all-spin logic device with built-in memory // Nature Nanotechnology. 2010. V. 5. № 4. P. 266‑70. doi: 10.1038/nnano.2010.31.

[5] Min H., Bistritzer R., Su J.‑J., MacDonald A.H. Room-temperature superfluidity in graphene bilayers // Phys. Rev. В78. 2008. № 12. 121401 (R)(4pp).

[6] Registera L.F., Moua X., Reddya D., Junga W., Sodemanb I., Pesinb D., Hassibib A., MacDonaldb A.H., Banerjeea S.K. Bilayer Pseudo-Spin Field Effect Transistor (BiSFET): Concepts and Critical Issues for Realization // ECS Transactions. 2012. V. 45. № 4. P. 3‑14. doi: 10.1149/1.3700447

[7] Gorgiou T., Jalil R., Belle B.D., Britnell L., Gorbachev R.V., Morozov S.V., Kim Y.‑J., Gholinia A., Haigh S.J., Makarovsky O., Eaves L., Ponomarenko L.A., Geim A.K., Novoselov K.S., Mishchenko A. Vertical field-effect transistor based on graphene-WS2 heterostructures for flexible and transparent electronics // Nature Nanotechnology. 2013. № 8. P. 100−103. doi:10.1038/nnano.2012.224

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи