Электрические флуктуации и дефекты структуры в полупроводниках
- 1 к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, ПИЯФ РАН (Санкт-Петербург)
Аннотация
Проанализированы электрические флуктуации в полупроводниках, вызванные захватом носителей заряда дефектами струк-туры; дано количественное описание флуктуаций; вычислено выражение общего вида для спектра электрических флуктуаций в полупроводниках, вызванных дефектами.
Для цитирования
Якубович Б.И. Электрические флуктуации и дефекты структуры в полупроводниках // Электромагнитные волны и электронные системы. 2012. № 11. С. 21–23.
Список источников
- Якубович Б.И.Электрические флуктуации в неметаллах. СПб.: Энергоатомиздат. 1999.
- Kirton M.J., Uren M.J. Noise in solid-state microstructures: a new perspective on individual defects, interface states and low-frequency (1/f) noise // Adv. Phys. 1989. V.38. № 4. P. 367-468.
- Vandamme L.K.J.
Noise as a diagnostic tool for quality and reliability of electronic devices //
IEEE Trans. Electron Devices. 1994.
V. 41. № 11. P. 2176-2187. - Kleinpenning T.G.M. On
1/f noise and random telegraph noise
in very small electronic devices // Physica B. 1990. V. 164. № 3.
P. 331-334.