Вероятностные характеристики уровней электромагнитного поражения полупроводниковых приборов и радиоэлектронных средств
- 1 к.т.н., преподаватель, ВУНЦ ВВС «Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина» (г. Воронеж)
Ключевые слова:
уровень электромагнитного пораженияполупроводниковый приборрадиоэлектронное средство
Аннотация
Дано обоснование аппроксимации функций распределения вероятностей уровней электромагнитного поражения полупроводниковых приборов и радиоэлектронных средств логарифмически нормальными кривыми. Показано соответствие аппроксимирующих функций результатам эксперимента. Проведен расчет вероятности электромагнитного поражения радиоэлектронного средства со штатным приемным трактом при равномерном распределении направлений приема поражающего излучения.
Для цитирования
Волков А.А. Вероятностные характеристики уровней электромагнитного поражения полупроводниковых приборов и радиоэлектронных средств // Успехи современной радиоэлектроники. 2017. № 8. С. 23–30.
Список источников
- Добыкин В.Д., Куприянов А.И., Пономарев В.Г., Шустов Л.Н. Радиоэлектронная борьба. Силовое поражение радиоэлектронных систем. М.: Вузовская книга. 2007.
- Рикетс Л.У., Бриджес Дж. Э., Майлетта Дж. Электромагнитный импульс и методы защиты. М.: Атомиздат. 1979.
- Антипин В.В., Годовицин В.А., Громов Д.В., Кожевников А.С., Раваев А.А. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводни-ковые приборы и интегральные микросхемы // Зарубежная радиоэлектроника. 1995. № 1. С. 37–53.
- Ключник А.В., Солодов А.В. Статистическая модель повреждения цифровых интегральных микросхем импульсным радиоизлучением // Радиотехника. 2010. № 2. С. 37–42.
- Ключник А.В., Пирогов Ю.А., Солодов А.В. Статистика повреждения СВЧ диодов импульсным радиоизлучением // Журнал радиоэлектроники: электронный журнал. 2010. № 12. URL: http://jre.cplire.ru/jre/dec10/1/text.pdf.
- Ключник А.В., Пирогов Ю.А., Солодов А.В. Обратимые отказы интегральных микросхем в полях радиоизлучения // Журнал радиоэлектроники: электронный журнал. 2013. № 1. URL: http://jre.cplire.ru/jre/jan13/18/text.pdf.
- Пирогов Ю.А., Солодов А.В. Повреждения интегральных микросхем в полях радиоизлучения // Журнал радиоэлектроники: электронный журнал. 2013. № 6. URL: http://jre.cplire.ru/jre/jun13/15/text.pdf.
- Добыкин В.Д. Оценка статистических характеристик теплового поражения полупроводниковых приборов // Радиотехника. 2004. № 10. С. 38–43.
- Мещеряков С.А. Моделирование теплового поражения диодных полупроводниковых структур полиимпульсным сверхвысокочастотным радиоизлучением // Журнал радиоэлектроники: электронный журнал. 2013. № 7. URL: http://jre.cplire.ru/jre/jul13/4/text.pdf.
- Айвазян С.А., Енюков И.С., Мешалкин Л.Д. Прикладная статистика: Основы моделирования и первичная обработка данных. М.: Финансы и статистика. 1983.
- Вадзинский Р.Н. Справочник по вероятностным распределениям. СПб.: Наука. 2001.
- Вентцель Е.С. Теория вероятностей. М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы. 1969.
- Раков В.И. Методы аппроксимации диаграмм направленного действия антенн радиолокационных станций. Л.: ВМАКВ. 1958.