Численное моделирование p-n-перехода
- 1 студент, МГТУ имени Н.Э. Баумана, инженер, ОАО «Радиотехнический институт имени академика А.Л. Минца»
Аннотация
Осуществлено численное моделирование p-n -структуры в программном средстве MATLAB. Получены основные характеристики в состоянии равновесия, такие как распределение электрического поля, электронная и дырочная плотности суммарный заряд.
Для цитирования
Дорошевич А.В. Численное моделирование p-n-перехода // Успехи современной радиоэлектроники. 2016. № 10. С. 68–73.
Список источников
- Зегря Г.Г., Перель В.И. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит. 2009.
- Hamid Fardi Numerical Analysis of Semiconductor PN Junctions Using MATLAB // Journal of Scientific Research & Reports. 2015.
- Mathworks Inc., MATLAB. 2014.
- Варлашов И.Б. Физико-топологическое моделирование полупроводниковых структур. 2011.С. 21-22, 37-38.
- Drift-Diffusion Modeling. Prepared by Dragica Vasileska Professor Arizona State University. URL: http://slideplayer.com/slide/6427683
- William R. Frensley Scharfetter-Gummel Discretization Scheme for Drift-Diffusion Equations. 2004. April.
- Jinn-Liang Liu Scharfetter-Gummel Method // National Hsinchu University of Education. 2011.