Интегральный источник опорного напряжения с двойной стабилизацией и компенсацией технологического разброса

Р.Р. Фахрутдинов; К.В. Мурасов; Р.А. Вольф; С.А. Завьялов; А.Н. Лепетаев

Интегральный источник опорного напряжения с двойной стабилизацией и компенсацией технологического разброса

Р.Р. Фахрутдинов¹, К.В. Мурасов², Р.А. Вольф³, С.А. Завьялов⁴, А.Н. Лепетаев⁵

научная статья Страницы: 170-174

¹ инженер-проектировщик, Омский государственный технический университет (г. Омск)
² к.т.н., мл. науч. сотрудник, Омский государственный технический университет (г. Омск)
³ мл. науч. сотрудник, Омский государственный технический университет (г. Омск)
^4,5 к.т.н., доцент, Омский государственный технический университет (г. Омск)

Ключевые слова: источник опорного напряжения температурная компенсация нестабильность опорного напряжения МОП-транзистор двойная стабилизация

Аннотация

Рассмотрен интегральный источник опорного напряжения с температурной компенсацией второго порядка, имеющий двойную стабилизацию и схему подстройки, компенсирующую технологический разброс. Представлены результаты моделирования описанного источника. Отмечено, что выходное напряжение имеет нестабильность, не превышающую 1,5 ppm/ºC, в диапазоне температур -40-85 град и изменении напряжения питания 1,8-3,6 В с учетом компенсированного технологического разброса; шум в полосе 1 Гц-10 ГГц составляет 103 мкВ/√Гц; коэффициент подавления помех по входу составляет -60 дБ на частоте 100 кГц, при напряжении питания 3 В.

Для цитирования

Фахрутдинов Р.Р., Мурасов К.В., Вольф Р.А., Завьялов С.А., Лепетаев А.Н. Интегральный источник опорного напряжения с двойной стабилизацией и компенсацией технологического разброса // Успехи современной радиоэлектроники. 2015. № 10. С. 170–174.

Список источников

Мурасов К.В., Косых А.В., Завьялов С.А., Лепетаев А.Н. Интегральный ASICкварцевый генератор с гибридной аналого- цифровой температурной компенсацией // Омский научный вестник. 2011. № 3 (103). С.294-299.
Tsivids Y.P.Accurate analysis of temperature effects in Ic-Vbe characteristics with application to bandgap reference sources // IEEEJ. Solid-state circuits. 1980. V. 14. P.573-577.
Li Y., Wu J., Huang Z., Gao Z. High-Order Curvature-Compensated Bandgap Reference A Sub-1ppm // IEEE APCCAS. 2008. P.1204-1207.
Xing X., Li D. A low viltage high precision CMOS Bangap referense // IEEE 1-4244-157-147-9.2007.
Lee I., Kim G., Kim W. Exponential curvature-compensated BiCMOS bandgap reference // IEEE Journal of silid state circuits. 1994. V.29.

[1] Мурасов К.В., Косых А.В., Завьялов С.А., Лепетаев А.Н. Интегральный ASICкварцевый генератор с гибридной аналого- цифровой температурной компенсацией // Омский научный вестник. 2011. № 3 (103). С.294-299.

[2] Tsivids Y.P.Accurate analysis of temperature effects in Ic-Vbe characteristics with application to bandgap reference sources // IEEEJ. Solid-state circuits. 1980. V. 14. P.573-577.

[3] Li Y., Wu J., Huang Z., Gao Z. High-Order Curvature-Compensated Bandgap Reference A Sub-1ppm // IEEE APCCAS. 2008. P.1204-1207.

[4] Xing X., Li D. A low viltage high precision CMOS Bangap referense // IEEE 1-4244-157-147-9.2007.

[5] Lee I., Kim G., Kim W. Exponential curvature-compensated BiCMOS bandgap reference // IEEE Journal of silid state circuits. 1994. V.29.

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи