Исследование влияния геометрических характеристик фотопроводящих дипольных антенн на основе SI-GaAs на генерацию терагерцевого излучения

А.Н. Зарубин; Р.А. Редькин; С.Ю. Саркисов; М.С. Скакунов; О.П. Толбанов; А.В. Тяжев

Исследование влияния геометрических характеристик фотопроводящих дипольных антенн на основе SI-GaAs<Cr> на генерацию терагерцевого излучения

А.Н. Зарубин¹, Р.А. Редькин², С.Ю. Саркисов³, М.С. Скакунов⁴, О.П. Толбанов⁵, А.В. Тяжев⁶

научная статья Страницы: 159-161

^1,4 вед. технолог, Национальный исследовательский Томский государственный университет (г. Томск)
² электроник, Национальный исследовательский Томский государственный университет (г. Томск)
³ к.ф.-м.н., науч. сотрудник, Национальный исследовательский Томский государственный университет (г. Томск)
⁵ д.т.н., профессор, зав. лабораторией, Национальный исследовательский Томский государственный университет (г. Томск)
⁶ науч. сотрудник, Национальный исследовательский Томский государственный университет (г. Томск)

Ключевые слова: дипольная антенна терагерцевое излучение полуизолирующий GaAs терагерцевая спектроскопия

Аннотация

Разработаны и изготовлены фотопроводящие дипольные антенны на основе полуизолирующего GaAs, компенсированного хромом (SI-GaAs). Протестировано три типа антенн: антенна-бабочка, трапециевидная и полосковая. Установлено, что при возбуждении фемтосекундным лазером в антеннах на основе SI-GaAs со временем жизни неравновесных носителей заряда порядка 100 нс может быть генерировано терагерцевое излучение в диапазоне 0,05-1,5 ТГц. Обнаружено, что наи- более эффективным излучателем является полосковая антенна длиной 150 мкм.

Для цитирования

Зарубин А.Н., Редькин Р.А., Саркисов С.Ю., Скакунов М.С., Толбанов О.П., Тяжев А.В. Исследование влияния геометрических характеристик фотопроводящих дипольных антенн на основе SI-GaAs<Cr> на генерацию терагерцевого излучения // Успехи современной радиоэлектроники. 2015. № 10. С. 159–161.

Список источников

Miyamaru F., Saito Yu., Yamamoto K., Furuya T., Nishizawa S., Tani M. Dependence of emission of terahertz radiation on geomet- rical parameters of dipole photoconductive antennas // Applied Physics Letters. 2010. V. 96. P.211104-1-3.
Shi W., Jia W.-L., Hou L., Xu J.-Z., Zhang X.-C. Terahertz radiation from large aperture bulk semi-insulating GaAs photoconductive dipole antenna // Chinese Physics Letters. 2004. V. 48. P.1020-1027.
Roehle H., Dietz R.J.B., Hensel H.J., Bottcher J., Kunzel H., Stanze D., Schell M., Sartorius B.Next generation 1.5 µm terahertz an- tennas: mesa-structuring of In-GaAs/InAlAs photoconductive layers // Optics Express. 2010. V. 18. № 3. P.2296-2301.
Sarkisov S.Yu., Safiullin F.D., Skakunov M.S., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Nazarov M.M., Shkurinov A.P.Dipole antennas based on SI-GaAs:Cr for generation and detection of terahertz radiation // Russian Physics Journal. 2013. V. 53. № 8. P.890-898.

[1] Miyamaru F., Saito Yu., Yamamoto K., Furuya T., Nishizawa S., Tani M. Dependence of emission of terahertz radiation on geomet- rical parameters of dipole photoconductive antennas // Applied Physics Letters. 2010. V. 96. P.211104-1-3.

[2] Shi W., Jia W.-L., Hou L., Xu J.-Z., Zhang X.-C. Terahertz radiation from large aperture bulk semi-insulating GaAs photoconductive dipole antenna // Chinese Physics Letters. 2004. V. 48. P.1020-1027.

[3] Roehle H., Dietz R.J.B., Hensel H.J., Bottcher J., Kunzel H., Stanze D., Schell M., Sartorius B.Next generation 1.5 µm terahertz an- tennas: mesa-structuring of In-GaAs/InAlAs photoconductive layers // Optics Express. 2010. V. 18. № 3. P.2296-2301.

[4] Sarkisov S.Yu., Safiullin F.D., Skakunov M.S., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Nazarov M.M., Shkurinov A.P.Dipole antennas based on SI-GaAs:Cr for generation and detection of terahertz radiation // Russian Physics Journal. 2013. V. 53. № 8. P.890-898.

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи