Избыточные шумы в GaAs детекторах ионизирующих излучений, геттерированных иттербием

Э.А. Ильичев; С.А. Кострюков; Г.П. Жигальский; Т.А. Холомина; В.Г. Литвинов

Избыточные шумы в GaAs детекторах ионизирующих излучений, геттерированных иттербием

Э.А. Ильичев¹, С.А. Кострюков², Г.П. Жигальский³, Т.А. Холомина⁴, В.Г. Литвинов⁵

научная статья Страницы: 74-78

¹ д.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
² к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Региональный центр зондовой микроскопии коллективного пользования при Рязанском государственном радиотехническом университете
³ д.т.н., профессор, Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
⁴ д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой «Биомедицинская и полупроводниковая электроника», Рязанский государственный радиотехнический университет
⁵ к.ф.-м.н., доцент, кафедра «Биомедицинская и полупроводниковая электроника», Рязанский государственный радиотехнический университет

Ключевые слова: избыточный низкочастотный шум GaAs детекторы заряженных частиц и рентгеновского излучения геттерирование Yb

Аннотация

Представлены результаты экспериментального исследования избыточного шума детекторов заряженных частиц и рентгеновского излучения, в которых созданы геттерирующие области, легированные иттербием. Исследования проведены на эпитаксиальных слоях GaAs. Структуры, изготовленные на слоях с меньшей концентрацией пассивирующей примеси, имели меньший уровень избыточного шума. Установлено, что структуры с разной площадью активной области характеризовались разным уровнем избыточного шума.

Для цитирования

Ильичев Э.А., Кострюков С.А., Жигальский Г.П., Холомина Т.А., Литвинов В.Г. Избыточные шумы в GaAs детекторах ионизирующих излучений, геттерированных иттербием // Успехи современной радиоэлектроники. 2014. № 10. С. 74–78.

Список источников

Беспалов В.А., Ильичев Э.А., Шмелев С.С. и др. Электрофизические свойства GaAsслоев и особенности характеристик детекторов частиц высоких энергий на их основе // ЖТФ. 2004. Т. 74. В. 3. С. 28-36.
Жигальский Г.П., Кострюков С.А., Литвинов В.Г., Родин М.С., Холомина Т.А. Исследование параметров глубоких центров в детекторах заряженных частиц и рентгеновского излучения на основе Al/I - GaAs // Радиотехника и электроника. 2007. Т. 52. № 10. С. 1260-1265.
Гореленок А.Т., Каманин А.В., Шмидт Н.М. Редкоземельные элементы в технологии соединений A₃B₅ и приборов на их основе // ФТП. 2003. Т. 37. В. 8. С. 922-940.
Вайполин А.А., Гореленок А.Т., Мдивани В.Н., Ильичев Э.А. Исследование влияния процесса геттерирования арсенида галлия на атомную структуру // ФТТ. 2007. Т. 49. В. 2. С. 213-215.
Кострюков С.А., Холомина Т.А. Программное обеспечение НЧ шумовой спектроскопии глубоких уровней // Известия вузов. Электроника. 2006. № 4. С. 36-43.
Холомина Т.А., Кострюков С.А., Лактюшкин А.С. Исследование полупроводниковых барьерных структур методом спектроскопии низкочастотного шума // Вестник РГРТУ. Рязань. 2012. № 1 (Вып. 39). Часть 1. С. 74-78.
Холомина Т.А. Особенности процессов генерации НЧ-шума в полупроводниковых барьерных структурах // Вестник РГРТУ. Рязань. 2012. № 1 (Вып. 39). Часть 2. С. 117-121.

[1] Беспалов В.А., Ильичев Э.А., Шмелев С.С. и др. Электрофизические свойства GaAsслоев и особенности характеристик детекторов частиц высоких энергий на их основе // ЖТФ. 2004. Т. 74. В. 3. С. 28-36.

[2] Жигальский Г.П., Кострюков С.А., Литвинов В.Г., Родин М.С., Холомина Т.А. Исследование параметров глубоких центров в детекторах заряженных частиц и рентгеновского излучения на основе Al/I - GaAs // Радиотехника и электроника. 2007. Т. 52. № 10. С. 1260-1265.

[3] Гореленок А.Т., Каманин А.В., Шмидт Н.М. Редкоземельные элементы в технологии соединений A₃B₅ и приборов на их основе // ФТП. 2003. Т. 37. В. 8. С. 922-940.

[4] Вайполин А.А., Гореленок А.Т., Мдивани В.Н., Ильичев Э.А. Исследование влияния процесса геттерирования арсенида галлия на атомную структуру // ФТТ. 2007. Т. 49. В. 2. С. 213-215.

[5] Кострюков С.А., Холомина Т.А. Программное обеспечение НЧ шумовой спектроскопии глубоких уровней // Известия вузов. Электроника. 2006. № 4. С. 36-43.

[6] Холомина Т.А., Кострюков С.А., Лактюшкин А.С. Исследование полупроводниковых барьерных структур методом спектроскопии низкочастотного шума // Вестник РГРТУ. Рязань. 2012. № 1 (Вып. 39). Часть 1. С. 74-78.

[7] Холомина Т.А. Особенности процессов генерации НЧ-шума в полупроводниковых барьерных структурах // Вестник РГРТУ. Рязань. 2012. № 1 (Вып. 39). Часть 2. С. 117-121.