Применение Х-параметров для проектирования МИС СВЧ-усилителей

С.В. Безус; Д.И. Иващенко; В.В. Казачков; Ю.И. Тихов

Применение Х-параметров для проектирования МИС СВЧ-усилителей

С.В. Безус¹, Д.И. Иващенко², В.В. Казачков³, Ю.И. Тихов⁴

научная статья Страницы: 117-123

^1,3 инженер-технолог 2 категории НПК «Микроэлектроника», ФНПЦ «Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи»
² инженер-технолог НПК «Микроэлектроника», ФНПЦ «Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи»
⁴ д.ф.-м.н., зам. начальника НПК «Микроэлектроника», ФНПЦ «Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи»

Ключевые слова: МИС СВЧ предусилитель автоматизированное проектирование усилителя поведенческое моделирование Х-параметры нелинейный векторный анализатор цепей

Аннотация

Представлена методика автоматизированного проектирования монолитных интегральных схем (МИС) СВЧ-усилителей на основе поведенческого нелинейного моделирования с применением Х-параметров. Продемонстрирована экспериментальная верификация предложенного подхода на примере двухкаскадного широкополосного предусилителя на арсениде галлия.

Для цитирования

Безус С.В., Иващенко Д.И., Казачков В.В., Тихов Ю.И. Применение Х-параметров для проектирования МИС СВЧ-усилителей // Успехи современной радиоэлектроники. 2013. № 8. С. 117–123.

Список источников

Technology Computer Aided Design (TCAD) software, SILVACO, Inc. http: // www. silvaco. com/.
Angelov I., Rorsman N., Stenarson J., Garcia М., Zirath Н. An empirical table-based FET model // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 1999. V. 47. № 12. Р. 2350 - 2357.
Curtice W. R., Ettenberg М. A nonlinear GaAs FET model for use in the design of output circuitsfor power amplifier // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 1985. V. 33. № 12. P. 1383 ? 1394.
Materka А., Kacprzak Т. Computer calculations of large-signal GaAs FETamplifier characteristic // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 1985. V. 33. № 2. P. 129 - 135.
Gasseling Т., Barataud D., Mons S., Nebus J.-M., Villotte J. P., Obregon J. J., Quere R. Hot small-signal S-parameter measurements of power transistors operating under large-signal conditions in a load-pull environment for the study of nonlinear parametric interactions // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2004. V. 52. № 3. P. 805 - 812.
Myslinski M., Verbeyst F., Bossche M. V., Schreurs D. S-functions behavioral model order reduction based on narrowband modulated large-signal network analyzer measurements // 75th IEEE Microwave Measurements Conference (ARFTG). 2010.P. 1 - 6.
X-parameters (Х-параметры) является зарегистрированной торговой маркой компании AgilentTechnologies. http: // www. agilent. com/.
Betts L. Nonlinear vector network analyzer applications // Microwave Journal. 2009. V. 52. № 3. P 78 - 92.
Root D. E., Verspecht J., Sharrit D., Wood J., Cognata А. Broad-band poly-harmonic distortion (PHD) behavioral models from fast automated simulations and large-signal vectorial network measurements // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2005. V. 53. № 11. 2005. P. 3656 - 3664.
Verspecht J., Root D. E. Polyharmonic distortion modeling // IEEE Microwave Magazine. 2006. V. 7. № 3. June. P. 44 - 57.
Verspecht J., Bossche M. V., Verbeyst F. Characterizing componentsunderlarge signal excitation: Defining sensible «large signal S-parameters» // 49th IEEE Microwave Measurements Conference (ARFTG). 1997. P. 109 - 117.
Advanced Design System (ADS) software, Agilent Technologies. http: // www. agilent. com /

[1] Technology Computer Aided Design (TCAD) software, SILVACO, Inc. http: // www. silvaco. com/.

[2] Angelov I., Rorsman N., Stenarson J., Garcia М., Zirath Н. An empirical table-based FET model // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 1999. V. 47. № 12. Р. 2350 - 2357.

[3] Curtice W. R., Ettenberg М. A nonlinear GaAs FET model for use in the design of output circuitsfor power amplifier // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 1985. V. 33. № 12. P. 1383 ? 1394.

[4] Materka А., Kacprzak Т. Computer calculations of large-signal GaAs FETamplifier characteristic // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 1985. V. 33. № 2. P. 129 - 135.

[5] Gasseling Т., Barataud D., Mons S., Nebus J.-M., Villotte J. P., Obregon J. J., Quere R. Hot small-signal S-parameter measurements of power transistors operating under large-signal conditions in a load-pull environment for the study of nonlinear parametric interactions // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2004. V. 52. № 3. P. 805 - 812.

[6] Myslinski M., Verbeyst F., Bossche M. V., Schreurs D. S-functions behavioral model order reduction based on narrowband modulated large-signal network analyzer measurements // 75th IEEE Microwave Measurements Conference (ARFTG). 2010.P. 1 - 6.

[7] X-parameters (Х-параметры) является зарегистрированной торговой маркой компании AgilentTechnologies. http: // www. agilent. com/.

[8] Betts L. Nonlinear vector network analyzer applications // Microwave Journal. 2009. V. 52. № 3. P 78 - 92.

[9] Root D. E., Verspecht J., Sharrit D., Wood J., Cognata А. Broad-band poly-harmonic distortion (PHD) behavioral models from fast automated simulations and large-signal vectorial network measurements // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2005. V. 53. № 11. 2005. P. 3656 - 3664.

[10] Verspecht J., Root D. E. Polyharmonic distortion modeling // IEEE Microwave Magazine. 2006. V. 7. № 3. June. P. 44 - 57.

[11] Verspecht J., Bossche M. V., Verbeyst F. Characterizing componentsunderlarge signal excitation: Defining sensible «large signal S-parameters» // 49th IEEE Microwave Measurements Conference (ARFTG). 1997. P. 109 - 117.

[12] Advanced Design System (ADS) software, Agilent Technologies. http: // www. agilent. com /

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи