Исследование параметров полевых транзисторов с изолированным затвором при низких температурах

А.М. Пилипенко; В.Н. Бирюков

Исследование параметров полевых транзисторов с изолированным затвором при низких температурах

А.М. Пилипенко¹, В.Н. Бирюков²

научная статья Страницы: 66-70

^1,2 к.т.н., доцент, кафедра теоретических основ радиотехники, Технологический институт Южного федерального университета (г. Таганрог)

Ключевые слова: МОП-транзистор параметры МОП-транзистора криогенные температуры параметрическая идентификация

Аннотация

Предложена пятипараметрическая модель полевого транзистора с изолированным затвором, учитывающая все основные физические эффекты при длинном канале. Разработана методика параметрической оптимизации. Приведены результаты измерения параметров p-канальных транзисторов в диапазоне температур 20-80 К.

Для цитирования

Пилипенко А.М., Бирюков В.Н. Исследование параметров полевых транзисторов с изолированным затвором при низких температурах // Успехи современной радиоэлектроники. 2011. № 9. С. 66–70.

Список источников

Алфеев В. Н. Полупроводники, сверхпроводники и параэлектрики в криоэлектронике: свойства и применение в криоэлектронных интегральных схемах и приборах структур на основе контактов полупроводников, сверхпроводников и параэлектриков. М.: Сов. радио. 1979.
Nagata H., Shibai H., Hirao T., Watabe T., Noda M., Hibi Y., Kawada M., Nakagawa T.Cryogenic Capacitive Transimpedance Amplifier for Astronomical Infrared Detectors // IEEE Transactions on Electron Devices. 2004. V. 51. № 2. P. 270-278.
Fanson J. L., Fazio G. G., Houck J. R., Kelly T., Rieke G. H., Tenerelli D. J., Whitten T. Space infrared telescope facility (SIRTF) // Proceedings of SPIE. 1998. V. 3354. P. 57-65.
Glidden R. M., Lizotte S. C., Cable J. S., Mason L. W., Cao C. Optimization of Cryogenic CMOS Processes for Sub-10K Applications // Proceedings of SPIE. 1992. V. 1684. P. 2-39.
Бирюков В. Н., Пономарев А. М. Ципис Н. Л. Исследование вольт-амперных и шумовых характеристик полевых транзисторов с изолированным затвором при низких температурах // Изв. вузов МВ и ССО СССР. Радиоэлектроника. 1986. Т. 29. № 11. C. 92-94.
Бирюков В. Н. Четырехпараметрическая компактная модель полевого транзистора с коротким каналом // Нанотехнологии-2010. Труды Междунар. научно-техн. конф. и молодежной школы-семинара. Ч. 2. Таганрог: ТТИ ЮФУ. 2010. С. 114-115.

Полный текст, PDF 350 ₽

[1] Алфеев В. Н. Полупроводники, сверхпроводники и параэлектрики в криоэлектронике: свойства и применение в криоэлектронных интегральных схемах и приборах структур на основе контактов полупроводников, сверхпроводников и параэлектриков. М.: Сов. радио. 1979.

[2] Nagata H., Shibai H., Hirao T., Watabe T., Noda M., Hibi Y., Kawada M., Nakagawa T.Cryogenic Capacitive Transimpedance Amplifier for Astronomical Infrared Detectors // IEEE Transactions on Electron Devices. 2004. V. 51. № 2. P. 270-278.

[3] Fanson J. L., Fazio G. G., Houck J. R., Kelly T., Rieke G. H., Tenerelli D. J., Whitten T. Space infrared telescope facility (SIRTF) // Proceedings of SPIE. 1998. V. 3354. P. 57-65.

[4] Glidden R. M., Lizotte S. C., Cable J. S., Mason L. W., Cao C. Optimization of Cryogenic CMOS Processes for Sub-10K Applications // Proceedings of SPIE. 1992. V. 1684. P. 2-39.

[5] Бирюков В. Н., Пономарев А. М. Ципис Н. Л. Исследование вольт-амперных и шумовых характеристик полевых транзисторов с изолированным затвором при низких температурах // Изв. вузов МВ и ССО СССР. Радиоэлектроника. 1986. Т. 29. № 11. C. 92-94.

[6] Бирюков В. Н. Четырехпараметрическая компактная модель полевого транзистора с коротким каналом // Нанотехнологии-2010. Труды Междунар. научно-техн. конф. и молодежной школы-семинара. Ч. 2. Таганрог: ТТИ ЮФУ. 2010. С. 114-115.

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи