Фотоэлектрические свойства pInSb-nCdTe гетероперехода, полученного лазерно-импульсным осаждением

Методом лазерно-импульсного осаждения получены гетеропереходы (ГП) pInSb-nCdTe и исследованы их фотоэлектрические свойства. В широком спектральном диапазоне (0,37 - 1,37) мкм наблюдался эффект оптической памяти как в смещенном ГП, так и в режиме холостого хода. В обоих случаях сигнал оптической памяти сохраняется не менее 105 с. Показано, что полученные ГП обладают свойством интегрирования падающего излучения. Дано детальное описание физических механизмов, ответственных за спектральные и временные зависимости сигнала фотопамяти таких, как гистерезисная спектральная зависимость со спектральными подобластями записи и стирания, время выхода сигнала на насыщение и др.