Г.С. Гагис

G.S. Gagis

1 статья 2016

Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век 1

2016

Особенности технологии InGaAsP/InP наногетероструктур для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 нм Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, №3 за 2016 г. С. 27-31