Процессы переноса в наноструктурах Ве-ВеО: моделирование инжекционных токов, ограниченных пространственным зарядом
Abstract
Проведено компьютерное моделирование инжекционных токов, ограниченных пространственным зарядом, в нанопленочных структурах Ве-ВеО; показано, что проводимость оксидного слоя определяется свободными носителями заряда, инжектированными из металла и не захваченными ловушками; на основании конкретных значений физических параметров диэлектрика ВеО построены модели тока, ограниченного пространственным зарядом, и зависимости инжекционного тока от приложенного напряжения и толщины оксидного слоя.
How to cite
Коржавый А.П., Марин В.П., Никифоров Д.К. Процессы переноса в наноструктурах Ве-ВеО: моделирование инжекционных токов, ограниченных пространственным зарядом // Наукоемкие технологии. 2007. № 4.