Зарядовый шум в одноэлектронном транзисторе из высокодопированного кремния-на-изоляторе
Abstract
Исследованы сигнальные и шумовые характеристики одноэлектронного транзистора на основе высокодопированного кремния-на-изоляторе (КНИ). Проведено их сравнение с характеристиками классического одноэлектронного транзистора на основе Al/AlOx/Al туннельных переходов. Показано, что уровни зарядового шума и формы их низкочастотных спектров близки друг к другу, а токовая чувствительность кремниевого транзистора в 3 - 4 раза выше.
How to cite
Крупенин В.А., Преснов Д.Е., Власенко В.С. Зарядовый шум в одноэлектронном транзисторе из высокодопированного кремния-на-изоляторе // Радиотехника. 2008. № 1.