Исследование восприимчивости микросхем памяти к сверхкоротким электромагнитным импульсам внешнего воздействия
Abstract
Экспериментально обоснована необходимость исследования воздействия сверхкоротких электромагнитных импульсов (СК ЭМИ) на микросхемы памяти. В качестве объекта исследования использовались реальные цифровые технические средства (ЦТС).
How to cite
Евтихиев Н.Н., Едлин М.Ю., Засовин Э.А., Черепанов А.К. Исследование восприимчивости микросхем памяти к сверхкоротким электромагнитным импульсам внешнего воздействия // Радиотехника. 2007. № 9.