Особенности тепловыделения в мощных полевых транзисторах

Разработана простая модель, позволяющая оценивать размеры области тепловыделения в мощных полевых транзисторах в зависимости от параметров транзисторной структуры и топологии прибора. Показано, что реальная область тепловыделения оказывается гораздо меньше не только размеров периодической структуры транзистора, расстояния затвор-сток, но и размеров статического домена. На основе точных трехмерных расчетов показано, что учет реальных размеров области тепловыделения повышает расчетные значения температуры в канале транзистора на 10-30°С.