Влияние глубоких уровней в буферном слое на характеристики транзисторов и малошумящих усилителей при воздействии импульсов СВЧ-мощности

Оценены характерные глубины ионизации и времена перезарядки глубоких уровней в малошумящих полевых транзисторах при подаче на их вход импульса мощности в зависимости от параметров транзистора, мощности импульса и сечений захвата электронов. Предложена простая методика по оценке изменения коэффициента шума транзистора в рабочем режиме под воздействием зондирующих импульсов СВЧ-мощности на входе по изменению коэффициента усиления тока стока. На основании измерений проведены оценки для группы транзисторов. Продемонстрировано, что в некоторых случаях коэффициент шума транзистора под воздействием импульса допустимой входной мощности может увеличиваться более чем вдвое. По полученным оценкам и экспериментальным данным рассчитано влияние паразитной проводимости по буферному слою на характеристики малошумящих транзисторных усилителей при униполярном и двухполярном питании.